[发明专利]具有降低的控制电压和改善的品质因数的TRANSCAP器件架构

权利要求书

1.一种半导体电容器，包括：

绝缘层；

半导体区域，与所述绝缘层的第一侧相邻地布置；以及

第一非绝缘区域，与所述绝缘层的第二侧相邻地布置，其中：

所述半导体区域包括第二非绝缘区域、以及具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一个的至少两个区域；

所述至少两个区域之间的一个或多个结被布置在所述第一非绝缘区域的上方或下方；并且

所述半导体区域包括第三非绝缘区域，使得所述第一非绝缘区域和所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为：通过相对于所述第一非绝缘区域或所述第二非绝缘区域，变化施加到所述第三非绝缘区域的控制电压而被调节。

2.根据权利要求1所述的半导体电容器，其中所述至少两个区域包括n阱区域和p阱区域，其中所述第三非绝缘区域与所述p阱区域相邻地被布置，并且其中所述第二非绝缘区域与所述n阱区域相邻地被布置。

3.根据权利要求1所述的半导体电容器，其中所述至少两个区域包括至少三个区域，所述至少三个区域包括：

第一n阱区域、第二n阱区域、以及布置在所述第一n阱区域和所述第二n阱区域之间的本征区域；或

第一p阱区域、第二p阱区域、以及布置在所述第一p阱区域和所述第二p阱区域之间的本征区域。

4.根据权利要求1所述的半导体电容器，其中所述至少两个区域包括n阱区域和p阱区域。

5.根据权利要求4所述的半导体电容器，其中所述一个或多个结包括p-n结，所述p-n结在所述n阱区域和所述p阱区域之间、并且布置在所述第一非绝缘区域上方或下方。

6.根据权利要求4所述的半导体电容器，其中所述至少两个区域还包括本征区域。

7.根据权利要求6所述的半导体电容器，其中所述本征区域被布置在所述n阱区域和所述p阱区域之间。

8.根据权利要求6所述的半导体电容器，其中所述p阱区域被布置在所述n阱区域和所述本征区域之间。

9.根据权利要求6所述的半导体电容器，其中所述n阱区域被布置在所述p阱区域和所述本征区域之间。

10.根据权利要求1所述的半导体电容器，其中所述至少两个区域包括本征区域、以及n阱区域或p阱区域中的一个。

11.根据权利要求1所述的半导体电容器，还包括掩埋氧化物(BOX)区域，其中所述绝缘层包括布置在所述半导体区域和所述第一非绝缘区域之间的所述BOX区域的一部分。

12.根据权利要求11所述的半导体电容器，还包括硅化物阻挡层，其中所述BOX区域和所述硅化物阻挡层与所述半导体区域的相对侧相邻地布置。

13.一种半导体电容器，包括：

绝缘层；

半导体区域，与所述绝缘层的第一侧相邻地布置，并且包括本征区域；以及

第一非绝缘区域，与所述绝缘层的第二侧相邻地布置，其中所述半导体区域还包括具有第一掺杂类型的第二非绝缘区域。

14.根据权利要求13所述的半导体电容器，其中：

所述半导体区域还包括具有第二掺杂类型的第三非绝缘区域；并且

所述本征区域被布置在所述第二非绝缘区域和所述第三非绝缘区域之间。

15.根据权利要求13所述的半导体电容器，其中：

所述半导体区域还包括具有与所述本征区域不同的掺杂浓度或不同的掺杂类型的至少一个区域；并且

所述至少一个区域和所述本征区域之间的一个或多个结被布置在所述第一非绝缘区域上方或下方。