[发明专利]用于铜的图案化的等离子体蚀刻

说明书

提供了一种形成平板显示器的方法，尤其是形成高像素密度的平板显示器的方法。蚀刻的方法可包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。

技术领域

本文描述的实施方式一般地涉及一种形成平板显示器的方法，特别是涉及形成高像素密度的平板显示器的方法。

背景技术

显示设备已被广泛地用于大范围的电子应用，诸如电视、显示器、移动电话、MP3播放器、电子书阅读器、及个人数字助理(PDAs)及类似应用。随着显示设备的分辨率需求变得越来越具挑战性，例如是移动显示器的显示分辨率大于2000每英寸像素(pixels perinch,PPI)或450PPI，显示设备用于形成导电电极的区域是有限区域，此有限区域不干扰像素的发光及器件的性能。将形成于显示设备中的半导体集成电路维持在具有相对小的面积的受限位置上已成为重点。低电阻材料，诸如铜，使较高的电流能够流经给定区域，以减轻电迁移(electromigration)并允许进一步的显示缩放。

然而，为了达到低电阻率互连(interconnection)，低电阻材料，诸如铜，必须是短且宽的线或是长且细的线二者之一。在铜互连件的制造中，先利用掩模使铜图案化，接着利用湿式各向同性蚀刻(wet isotropic etch)以制造短且宽的线。然而，随着PPI上升，具有短且宽的互连的器件干扰像素的照明。利用湿式蚀刻制造长且细的线致使掩模下的蚀刻，其过蚀刻(over-etches)铜并对器件的性能有负面影响。

因此，需要一种稳定且可靠的方法以形成低电阻、高深宽比的铜互连件。

发明内容

本文描述的实施方式一般地涉及一种形成平板显示器的方法，特别是形成高像素密度的平板显示器的方法。在一实施方式中，蚀刻的方法包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在此铜层上，图案化所述掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并持续将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。

在另一实施方式中，一种蚀刻方法包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在此铜层上，图案化此硬掩模以暴露此铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于以脉冲的方式产生的紫外线辐射。

在另一实施方式中，一种蚀刻方法包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括湿式蚀刻及干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。

附图说明

以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可通过参照实施方式来获得，一些实施方式绘示于所附图式中。然而，应当注意，所附的图式仅绘示出本公开内容的典型实施方式，因而不会被视为对本发明的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等同有效的实施方式。

图1示出概述根据本文描述的一实施方式的方法流程图。

图2A-2D示出根据图1的方法制造器件结构的多个阶段。

为了便于理解，已尽可能地采用相同的附图标号，来标示图式中共通的相同元件。考虑到，在没有进一步描述下一实施方式的元件和特征可以有利地并入于其他实施方式中。

具体实施方式

本文描述的实施方式一般地涉及一种形成平板显示器的方法，特别是涉及形成高像素密度的平板显示器的方法。通过将干式蚀刻工艺与紫外线(UV)辐射暴露结合，铜也可以在低温挥发，而不将铜放入其他器件部件中，这样可能破坏器件的功能。因此，可形成高深宽比的铜互连件。