[发明专利]真空相容电绝缘体在审
| 申请号: | 201880041115.1 | 申请日: | 2018-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN110770852A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
| 发明(设计)人: | 凯丽·B·艾普;米歇尔·G·拉伯格 | 申请(专利权)人: | 通用融合公司 |
| 主分类号: | H01B3/12 | 分类号: | H01B3/12 |
| 代理公司: | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
| 地址: | 加拿大大不列*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃基板 高压绝缘体 绝缘体 玻璃绝缘体 带电粒子 单片玻璃 覆层表面 高压脉冲 厚度均匀 陶瓷覆层 陶瓷层 相容的 涂覆 辐射 暴露 | ||
1.一种真空相容电绝缘体,包括:
玻璃基板,其具有至少一个表面并且所述表面的至少一部分能够暴露于高能带电粒子或光子;和
陶瓷层,其覆盖所述玻璃基板的所述至少一个表面的所述至少一部分。
2.根据权利要求1所述的电绝缘体,其中所述玻璃基板包括单片玻璃。
3.根据权利要求2所述的电绝缘体,其中所述玻璃基板是圆形的,并具有至少1米的直径。
4.根据权利要求3所述的电绝缘体,其中所述玻璃基板是环形盘,具有用于接纳电极的中心开口,并且还包括围绕所述中心开口的无覆层内区以及围绕所述玻璃基板的外周的无覆层外区。
5.根据权利要求4所述的电绝缘体,还包括分别安置在所述无覆层内区和所述无覆层外区上的内流体密封件和外流体密封件。
6.根据权利要求1所述的电绝缘体,其中所述玻璃基板由硼硅酸盐玻璃构成。
7.根据权利要求1所述的电绝缘体,其中所述陶瓷层由选自由氧化钇和氧化铝组成的组的材料构成。
8.根据权利要求7所述的电绝缘体,其中氧化铝的所述陶瓷层的厚度在10微米与200微米之间。
9.根据权利要求1所述的电绝缘体,其中所述至少一个表面包括多个部分,所述多个部分能够暴露于高能带电粒子或光子并覆有所述陶瓷层的覆层,并夹杂布置有至少一个无覆层部分。
10.根据权利要求1所述的电绝缘体,其中所述玻璃基板的所述至少一个表面包括折痕,所述折痕的尺寸和构造使其补偿所述玻璃基板的热膨胀系数与陶瓷覆层的热膨胀系数之间的差异。
11.一种等离子体系统,包括:
真空容器;
安装在所述真空容器中并间隔开以在其间形成间隙的第一电极和第二电极,所述等离子体系统能够操作以在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压;和
安装在所述两个电极之间的电绝缘体,所述电绝缘体包括:具有至少一个表面并且所述表面的至少一部分能够暴露于所述真空容器内的等离子体的玻璃基板以及覆盖所述至少一个表面的所述至少一部分的陶瓷层。
12.根据权利要求11所述的等离子体系统,其中所述玻璃基板包括单片玻璃。
13.根据权利要求11所述的等离子体系统,其中所述玻璃基板是圆形的,并具有至少1米的直径。
14.根据权利要求13所述的等离子体系统,其中所述玻璃基板是环形盘,具有用于接纳所述第一电极的中心开口,并且还包括围绕所述中心开口的无覆层内区以及围绕所述玻璃基板的外周的无覆层外区。
15.根据权利要求14所述的等离子体系统,其中所述第二电极是管状的并且围绕所述电绝缘体,并且所述电绝缘体还包括分别安置在所述无覆层内区和所述无覆层外区上的内密封件和外密封件,从而在所述电绝缘体和所述第一电极和所述第二电极之间形成流体密封。
16.根据权利要求11所述的等离子体系统,其中所述玻璃基板由硼硅酸盐玻璃构成。
17.根据权利要求11所述的等离子体系统,其中所述陶瓷层由选自由氧化钇和氧化铝组成的组的材料构成。
18.根据权利要求17所述的等离子体系统,其中氧化铝的所述陶瓷层的厚度在10微米与200微米之间。
19.根据权利要求11所述的电绝缘体,其中所述至少一个表面包括多个部分,所述多个部分能够暴露于等离子体并覆有所述陶瓷层的覆层,并夹杂布置有至少一个无覆层部分。
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