[发明专利]半导体激光二极管

权利要求书

1.一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且所述有源层配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且所述光经由光耦合输出面(6)放射，

其中所述有源区(5)从与所述光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向所述光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在所述主延伸平面中延伸，

其中所述半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，

其中所述第一外壳层(4)具有出自与所述半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，

其中所述第一外壳层(4)是结构化的并且由此具有第一结构，

其中在所述半导体激光二极管(100)运行中，在所述有源区(5)中产生的光(8)到达所述第一外壳层(4)中，和

其中在所述有源区(5)中产生的光(8)沿竖直方向具有带有最大值的强度变化曲线，其中所述强度在所述半导体层序列(2)和所述第一外壳层(4)之间的边界面处下降到相对于所述最大值大于或等于1％或者大于或等于5％或大于或等于10％的值。

2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述第一外壳层(4)具有透明导电氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述第一外壳层(4)具有至少两种不同的透明导电氧化物。

4.根据权利要求3所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述至少两种不同的透明导电氧化物以交替的层堆形式施加在所述表面区域(20)上。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中

-所述表面区域(20)具有至少一个第一表面子区域(241)和至少一个直接与之邻接的第二表面子区域(242)，

-所述第一外壳层(4)在所述第二表面子区域(242)中具有空位，所述空位通过开口或空隙形成，

-在所述空位中施加有金属材料，和

-所述空位中的所述金属材料伸展至所述半导体层序列(2)的表面区域(20)，并且与所述半导体层序列(2)直接接触。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管(100)，

其中在所述第一外壳层(4)的至少一个区域(41，42)上施加有金属材料。

7.根据权利要求6所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述金属材料通过金属接触层(14)和/或通过接合层(15)形成。

8.根据权利要求7所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述第一外壳层(4)具有多个第一区域(41)并且所述第一区域由所述金属接触层(14)完全覆盖。

9.根据权利要求7所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述金属接触层(14)仅施加在一些第一区域(41)上。

10.根据权利要求7所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述金属接触层(14)是结构化的并且由此具有第二结构并且所述第一和第二结构彼此不同。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管(100)，

其中所述半导体层序列(2)基于III-V族化合物半导体材料。