[发明专利]用于HAST改进的器件隔离设计规则

权利要求书

1.一种半导体晶圆，包括：

由第一材料形成的衬底；

所述半导体晶圆上的第一器件区域、所述第一器件区域包括集成电路器件，集成电路器件包括形成在衬底上的外延层；

在衬底上的所述第一器件区域与第二器件区域之间延伸的道路部，其中所述外延层延伸穿过道路部；

形成在所述外延层中的隔离区，其从外延层的顶表面进入外延层，所述隔离区部分地或完全地围绕所述集成电路器件延伸；以及

形成在集成电路器件的至少一部分上方的一个或更多个钝化层，其从第一器件区域延伸到所述隔离区上方，并且延伸到所述道路部中的距离比所述隔离区延伸到所述道路部中的距离更远。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述一个或更多个钝化层不延伸到所述第一器件区域与所述第二器件区域之间的道路部的中间。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述隔离区延伸进入所述道路部；以及所述一个或更多个钝化层延伸到所述道路部中比所述隔离区延伸到所述道路部中远不多于5微米。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述一个或更多个钝化层覆盖所述隔离区的至少两个相交的表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述一个或更多个钝化层包括氮化硅、氧化物或旋涂玻璃。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述一个或更多个钝化层包括苯并环丁烯、双苯并环丁烯、聚苯并恶唑或聚酰亚胺。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述外延层包括形成在所述第一器件区域和第二器件中的氮化镓材料。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述道路部的宽度为10微米至300微米。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述外延层包括一个或更多个外延层；以及所述隔离区从所述一个或更多个外延层的顶表面朝向所述衬底延伸进入所述一个或更多个外延层一定深度。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，所述隔离区包括注入的氮、氩、硼或磷。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶圆，其中，与外延层相比，隔离区是电绝缘的；和

所述隔离区未延伸穿过整个所述道路部，使得导电性区保持在所述道路部中，以允许电流沿着所述道路部流动。

12.一种半导体芯片，包括：

由第一材料形成的衬底；

形成在所述衬底上的包括外延层的集成电路器件；

形成在所述外延层中的隔离区，其从外延层的顶表面进入外延层，所述隔离区部分地或完全地围绕所述集成电路器件延伸；以及

形成在集成电路器件的至少一部分上方的一个或更多个钝化层，其超出所述隔离区朝向所述半导体芯片的边缘延伸的距离比所述隔离区朝向所述半导体芯片的边缘延伸的距离更远。

13.根据权利要求12所述的半导体芯片，其中，所述一个或更多个钝化层朝向所述芯片的边缘延伸比所述隔离区朝向所述芯片的边缘延伸远不多于5微米。

14.根据权利要求12所述的半导体芯片，其中，所述一个或更多个钝化层包括氮化硅、氧化物或旋涂玻璃。

15.根据权利要求12所述的半导体芯片，其中，所述一个或更多个钝化层包括苯并环丁烯、双苯并环丁烯、聚苯并恶唑或聚酰亚胺。

16.根据权利要求12所述的半导体芯片，其中，所述外延层包括形成在所述半导体芯片上的外延氮化镓材料。