[发明专利]作为层间电介质的石墨烯

说明书

一种集成电路可以包括多个后道工序(BEOL)互连层。BEOL互连层可以包括导电线和导电通孔。该集成电路可以进一步包括在BEOL互连层之间的层间电介质(ILD)。ILD可以包括导电线和导电通孔。ILD的至少一部分可以包括低K绝缘石墨烯合金。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月19日提交的题为“GRAPHENE ASINTERLAYER DIELECTRIC”的美国临时专利申请号62/522,024的权益，其公开内容明确地通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更具体地涉及层间电介质。

背景技术

互连层通常用于将集成电路上的不同器件连接在一起。随着集成电路变得越来越复杂，更多的互连层被用于提供器件之间的电连接。最近，由于现在在现代电子器件中互连的大量晶体管，用于电路的互连层级的数目已大幅增加。用于支持数目增加的晶体管的数目增加的互连层级涉及更复杂的过程。

随着集成电路(IC)技术的发展，互连件的几何尺寸减小。减小互连件之间的几何尺寸和“节距”(间距)可能导致互连件相互干扰并影响正常操作。

特别地，随着技术缩放继续，互补金属氧化物半导体(CMOS)互连金属线之间的间距变得更小，并且互连电容(例如，层间电容和层内电容)急剧增加。鉴于互连间距随着技术的发展而缩小(例如，芯片变小以获得经济利益)，由于常规层间电介质(ILD)材料的低K值，互连电容大幅增加。

发明内容

一种集成电路可以包括多个后道工序(BEOL)互连层。BEOL互连层可以包括导电线和导电通孔。集成电路可以进一步包括在BEOL互连层之间的层间电介质(ILD)。ILD可以包括导电线和导电通孔。ILD的至少一部分可以包括低K绝缘石墨烯合金。

一种制造集成电路的方法可以包括在集成电路的中道工序(MOL)层上对低K绝缘石墨烯合金层进行图案化和蚀刻。该方法可以进一步包括形成后道工序(BEOL)互连层。BEOL互连层可以包括经图案化的低K绝缘石墨烯合金层中的导电线和导电通孔。

一种集成电路可以包括多个后道工序(BEOL)互连层。BEOL互连层可以包括导电线和导电通孔。集成电路可以进一步包括用于在BEOL互连层之间进行绝缘的部件。用于绝缘的部件可以包括导电线和导电通孔。用于绝缘的部件的至少一部分可以包括低K绝缘石墨烯合金。

下面将描述本公开的附加特征和优点。本领域技术人员应当理解，本公开可以容易地用作用于修改或设计用于实现本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等同构造不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，将从以下描述中更好地理解就其组织和操作方法而言被认为是本公开的特性的新颖特征以及进一步的目的和优点。然而，应当明确理解，提供每个附图仅出于图示和描述的目的，并且不旨在限定对本公开的限制。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在参考结合附图进行的以下描述。

图1图示了半导体晶片的透视图。

图2图示了管芯的截面图。

图3图示了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的截面图。

图4图示了鳍式场效应晶体管(FinFET)。

图5图示了常规集成电路(IC)器件的截面图。

图6A至图6F图示了根据本公开的各方面的包括位于后道工序(BEOL)互连层之间的层间电介质(ILD)的集成电路(IC)器件的各种配置，其中ILD的至少一部分包括低K绝缘石墨烯合金。