[发明专利]在结构材料层中提供多个通孔的方法在审
申请号: | 201880040104.1 | 申请日: | 2018-06-18 |
公开(公告)号: | CN110831891A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | E.萨拉吉里克 | 申请(专利权)人: | 细度速治股份公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张萍;杨思捷 |
地址: | 瑞士格拉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 材料 提供 多个通孔 方法 | ||
1.使用众多MEMS方法步骤来提供在结构材料层(220)中包含通孔(132)的MEMS设备的方法,其中使中间产品经受多个MEMS方法步骤,所述中间产品:
-限定第一主侧(201)和第二主侧(202),和
-至少初始包含基底主体,其在所述第一主侧(201)上具有凹部(210),所述凹部(210)包含底部部分和相对远离所述第二主侧(202)的顶部部分,其中所述底部部分是最接近所述第二主侧(202)的凹部部分,并且所述顶部部分是所述凹部(210)的最接近所述第一主侧(201)的部分;
其中所述众多方法步骤包括以下步骤:
-向中间基底的所述第一主侧(201)提供正性光刻胶的聚合物层,所述聚合物层具有背对所述主体的外表面(291)和面向所述主体的内表面(292),
-使所述正性光刻胶的聚合物层在从所述正性光刻胶的外表面(291)朝向所述中间基底的主体的方向上暴露于光,产生正性光刻胶的暴露层,该层:
-在所述凹部(210)的顶部部分中包含相对强烈解聚的正性光刻胶,同时
-在所述凹部(210)的底部部分中留下相对较不强烈解聚的正性光刻胶;
-除去所述相对强烈解聚的正性光刻胶,同时留下在所述主体的凹部(210)的底部部分中的所述相对较不强烈解聚的正性光刻胶,以便提供受保护区域;
-在所述第一主侧(201)处和所述受保护区域外部提供结构材料;
-在所述受保护区域处进行蚀刻,以在所述结构材料中提供通孔(132)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述基底主体是结晶基底。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述通孔(132)是探针(100)的悬臂末端中的通孔(132)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述中间产品包含:
-主体(260),其包含主体材料,和
-在所述第一主侧(201)处的第一材料(220)的第一层(220),所述第一材料与主体材料不同;
其中:
-在除去所述相对强烈解聚的正性光刻胶同时留下在所述主体的凹部(210)的底部部分中所述相对较不强烈解聚的正性光刻胶的步骤之后,使用所述相对较不强烈解聚的光刻胶作为掩模蚀刻所述第一层(220),在经暴露的主体材料的顶部留下第一材料(220)的第一区域,
-在所述第一主侧(201)处提供结构材料的步骤包括通过使用剩余的第一材料和所述相对较不强烈解聚的光刻胶中的至少一者作为掩模,将所述基底主体的经暴露的主体材料转化成其组成不同于所述基底主体材料的结构材料来生长结构材料层(230),和
-蚀刻所述受保护区域的步骤包括除去所述剩余的第一材料(220)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中除去所述凹部(210)位置处的基底主体材料,以便在所述通孔(132)处暴露所述结构材料(230)。
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