[发明专利]自适应节流

说明书

本发明涉及一种设备，其可包含第一自适应滤波器、第二自适应滤波器和第三自适应滤波器。所述第一自适应滤波器可经配置以基于来自传感器的信号的量值确定与控制量度相关的控制信号的估计量值，其中所述信号指示存储器系统的操作温度。所述第二自适应滤波器可经配置以基于所述控制信号的量值确定估计的操作温度。所述滤波器可经配置以基于来自所述传感器的所述信号的所述量值与阈值操作温度之间的差确定所述控制信号的改变量值。所述第三自适应滤波器可经配置以基于所述控制信号的改变量值确定施加所述控制信号的节流速率。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器及方法，且更具体来说，涉及自适应控制系统。

背景技术

存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可卸除装置。存在包含易失性和非易失性存储器的许多不同类型存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在未被供电时保持经存储的数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等等。

可将存储器装置组在合一起以形成固态驱动器(SSD)。SSD可包含非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器和NOR快闪存储器)及/或可包含易失性存储器(例如，DRAM及/或SRAM)等各种其它类型的非易失性及易失性存储器。快闪存储器装置可包含在电荷存储结构(例如，浮动栅极)中存储数据的存储器单元，且可对于广泛范围的电子应用用作非易失性存储器。通常，快闪存储器装置使用一个晶体管存储器单元，其允许高存储器密度、高可靠性和低功耗。

可使用SSD来替换硬盘驱动器作为计算机的主要存储卷，因为固态驱动器可在性能、大小、重量、耐用性、操作温度范围和功率消耗方面优于硬盘驱动器。例如，当与磁盘驱动器比较时，SSD可归因于其没有移动零件而具有更好性能，此可避免查找时间、延时和与磁盘驱动器相关联的其它机电延迟。

阵列架构中的存储器单元可经编程到目标(例如，预期)状态。例如，电荷可放置在存储器单元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从所述结构移除以将所述单元编程到特定数据状态。存储器单元的电荷存储结构上的存储电荷可指示单元的阈值电压(V_t)，且可通过感测所述单元的存储电荷(例如，V_t)确定单元的状态。

例如，单电平单元(SLC)可经编程到两个不同数据状态的一个目标状态，所述状态可由二进制单位1或0表示。一些快闪存储器单元可经编程到超过两个数据状态的一个目标状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110和1110)，使得其表示超过一个数字(例如，超过一个比特)。经配置用于编程到超过两个数据状态的单元可称为额外电平单元(XLC)。例如，多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)及/或四电平单元(QLC)可在本文中通称为XLC。XLC可提供给定数量个存储器单元的更高密度存储器；但是，与SLC相比较，XLC可具有更低耐久及/或数据保持能力。例如，SLC的预期寿命可为50,000到100,000个循环(例如，编程-擦除循环)，而XLC的预期寿命可为1,000到5,000个循环。

附图说明

图1是根据本发明的若干实施例的呈包括存储器系统的计算系统的形式的设备的功能框图。

图2说明根据本发明的若干实施例的自适应控制架构的框图。

图3说明根据本发明的若干实施例的可耦合到控制器的传感器网络。

图4说明根据本发明的若干实施例的自适应控制架构的反向自适应滤波器。

图5说明根据本发明的若干实施例的自适应控制架构的部分。