[发明专利]横向鳍式静电感应晶体管

说明书

提出了一种横向鳍式静电感应晶体管，该横向鳍式静电感应晶体管包括：半导电基片；源极和漏极区，它们从由半导电基片支撑的相同或变化厚度的可选缓冲层延伸；半导电沟道，该半导电沟道将晶体管的源极区电耦合到漏极区，半导电沟道的一部分是鳍并且具有被栅控结构覆盖的面，从而在半导电沟道内限定了栅控沟道，半导电沟道还包括漂移区，该漂移区将栅控沟道电耦合到晶体管的漏极区。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年6月14日提交的美国临时申请号62/519721的优先权和权益，此处以引证的方式将该申请并入。本申请要求2018年2月13日提交的美国编号15/896048的优先权和利益，此处以引证的方式将该申请并入。

关于政府赞助的研究的声明

无

【技术领域】

本文致力于半导体领域，具体致力于包括金刚石的晶体管。此处提出的技术适用于使用栅极结构来控制金刚石电子器件以及其他中的源极到沟道势垒的装置和系统。

【背景技术】

对非专利文献的引用

以引证的方式将以下参考文献并入：

【1】P.Richman，“Modulation of space-charge-limited current flow ininsulated-gate field-effect tetrodes,”，IEEE Transactions on Electron Devices，第16卷，第759-766页，1969年。

【2】B.Wilamowski，“The Punch-Through Transistor with MOS ControlledGate,”，physica status solidi(a)，第79卷，第631-637页，1983年。

【3】[3]J.Nishizawa，T.Terasaki以及J.Shibata，“Field-effect transistorversus analog transistor(static induction transistor),”IEEE Transactions onElectron Devices，第22卷，第185-197页，1975年。

【4】Xuejue Huang；Wen-Chin Lee；Kuo,C.等人，“Sub-50nm P-channel FinFET”(PDF)。IEEE Transactions on Electron Devices。48(5)：880-886。doi:10.1109/16.918235,2001年5月。

【5】Chenming Hu；Bokor，J.等人，“FinFET-a self-aligned double-gate MOSFETscalable to 20nm”。IEEE Transactions on Electron Devices。47(12)：2320-2325。doi:10.1109/16.887014，2000年12月。

【6】Wilson,D.；Hayhurst,R.；Oblea,A.；Parke,S.；Hackler,D。“Flexfet:Independently-Double-Gated SOI Transistor With Variable Vt and 0.5V OperationAchieving Near Ideal Subthreshold Slope”SOI Conference，2007 IEEEInternational，2015年4月3日存档。