[发明专利]用于电穿孔的微电极技术

权利要求书

1.一种用于对单独的细胞或胚胎进行电穿孔的微电极，所述微电极包括：

衬底，所述衬底具有电绝缘表面；

第一电极，所述第一电极与所述衬底的所述电绝缘表面相邻，其中所述第一电极包括具有小于或等于所述细胞或胚胎的直径的边缘长度的第一表面，所述第一表面基本上正交于所述衬底的所述电绝缘表面；

第二电极，所述第二电极与所述衬底的所述电绝缘表面相邻并且与所述第一电极隔开预定距离以便形成通道，其中所述第二电极包括具有小于或等于所述细胞或胚胎的直径的边缘长度的第二表面，所述第二表面基本上正交于所述衬底的所述电绝缘表面；以及

液体介质，所述液体介质位于所述通道内，其中所述液体介质能够将所述细胞或胚胎流体输送穿过所述通道或流体输送到所述通道中并且能够支持电场。

2.如权利要求1所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面不是平行的。

3.如权利要求1或权利要求2所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者是弯曲的。

4.如权利要求1至3中任一项所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者是半圆形或半椭圆形的。

5.如权利要求1或权利要求2所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者是矩形、三角形或梯形的。

6.如权利要求1或权利要求2所述的微电极，其中所述第一电极包括与第一表面和所述衬底的所述电绝缘表面相邻的第三表面，并且其中所述第二电极包括与第一表面相邻的第四表面。

7.如权利要求6所述的微电极，其中所述第一表面和所述第三表面形成位于所述第一电极的横截面端上的多面体。

8.如权利要求6或权利要求7所述的微电极，其中所述第二表面和所述第四表面形成位于所述第二电极的横截面端上的多面体。

9.如权利要求7所述的微电极，其中形成于所述第一电极的所述横截面端上的所述多面体形成三棱柱、四面棱锥、五面体、六面体、septaheron或八面体。

10.如权利要求7或权利要求9所述的微电极，其中形成于所述第二电极的所述横截面端上的所述多面体形成三棱柱、四面棱锥、五面体、六面体、septaheron或八面体。

11.如权利要求1所述的微电极，其中所述第二表面区域基本上平行于所述第一表面。

12.如权利要求1至11中任一项所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者的所述边缘长度的范围为所述细胞或胚胎的所述直径的0.02％至75.0％。

13.如权利要求1至12中任一项所述的微电极，其中所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者是矩形、三角形、梯形、半圆形或半椭圆形的。

14.如权利要求1至13中任一项所述的微电极，其中所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者使用选自由以下项组成的组的技术来沉积在所述电绝缘表面上：物理气相沉积、化学气相沉积、电镀和/或湿蚀刻。

15.如权利要求1至14中任一项所述的微电极，其中所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者包括亲水性表面涂层。

16.如权利要求1至15中任一项所述的微电极，其中所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者由选自由以下项组成的组的材料制成：多晶硅、铝、镍、钨、铜、钛、镍铬合金、硅铬合金、铬、钼、铂、金、银、钯、TiW、氮化钛、氮化钽、钒、透磁合金、石墨烯、氧化铟锡、锡、钌、氧化钌、铑、锆、TiNi、Al-Si-Cu和钴。