[发明专利]磁传感器以及电流传感器

说明书

本发明涉及的磁传感器是对给定的感磁方向(X)上的磁场进行感测的磁传感器(10)。磁传感器(10)具备形成有至少一个磁元件(3a，3b)的芯片(3)。感磁方向(X)上的芯片(3)的长度为与感磁方向(X)正交的正交方向(Y)上的芯片(3)的长度的2倍以上。

技术领域

本发明涉及对磁场进行感测的磁传感器以及具备磁传感器的电流传感器。

背景技术

专利文献1公开了一种用于使磁传感器的输出相对于磁场方向的正负的对称性变得良好的技术。在专利文献1的磁传感器中，偏置磁场产生部和磁阻元件形成在同一芯片上。在芯片上的偏置磁场产生部中，两个薄膜磁铁使异极对置并且隔开间隔地配置。专利文献1为了使来自偏置磁场产生用的薄膜磁铁的磁场方向和磁阻元件的偏置磁场方向高精度地一致，在该芯片上在两个薄膜磁铁所形成的磁场的中心附近配置了磁阻元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-148301号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够降低对磁场进行感测的磁传感器中的角度偏离的磁传感器以及电流传感器。

用于解决课题的手段

本发明涉及的磁传感器是对给定的感磁方向上的磁场进行感测的磁传感器。磁传感器具备形成有至少一个磁元件的芯片。感磁方向上的芯片的长度为与感磁方向正交的正交方向上的芯片的长度的2倍以上。

本发明涉及的电流传感器具备磁传感器和导体。在导体安装磁传感器，且流过电流。磁传感器对由电流产生的磁场进行感测。

发明效果

根据本发明涉及的磁传感器以及电流传感器，通过感磁方向上的芯片的长度为正交方向上的芯片的长度的2倍以上，由此能够降低磁传感器中的角度偏离。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的电流传感器的立体图。

图2是表示实施方式1涉及的磁传感器的外观的立体图。

图3是表示实施方式1涉及的磁传感器的内部构造的图。

图4是表示磁传感器中的传感器芯片的配置例的图。

图5是表示传感器芯片中的磁元件的结构例的俯视图。

图6是对磁传感器中的磁元件的结构进行例示的电路图。

图7是对实施方式1涉及的电流传感器的结构进行例示的电路图。

图8是用于说明电流传感器的动作的图。

图9是用于说明电流传感器中的角度偏离的图。

图10是传感器芯片的仿真中的角度偏离和面积的曲线图。

图11是表示传感器芯片的芯片宽度和每单位面积的角度偏离的关系的曲线图。

图12是用于说明关于传感器芯片的芯片形状的数值分析的图。

图13是表示电流传感器中的导体的变形例的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明涉及的磁传感器以及电流传感器的实施方式进行说明。

各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在实施方式2以后，省略关于与实施方式1共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

(实施方式1)