[发明专利]用于减少的制造环境占用空间的竖直多批次磁性退火系统有效
申请号: | 201880037487.7 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN110741467B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 伊恩·科尔根;伊万·多姆沙;乔治·艾尔斯;齐藤诚;诺埃尔·奥肖内西;石井彻;大卫·赫尔利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/677 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;杨林森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 制造 环境 占用 空间 竖直 批次 磁性 退火 系统 | ||
1.一种对多批次工件进行退火的制造系统,包括:
第一退火系统,其被定位在制造底板上,所述第一退火系统包括:
竖直熔炉,其具有处理空间;
工件船,其承载至少一百个工件;
船装载器,其被布置在所述竖直熔炉下方并且被配置成竖直平移所述工件船并将所述工件定位在所述处理空间内;以及
磁体,其被定位在所述竖直熔炉外部并且被配置成在所述处理空间内产生磁场;以及
第二退火系统,其被定位在所述制造底板上,所述第二退火系统包括:
竖直熔炉,其具有处理空间;
工件船,其承载至少一百个工件;
船装载器,其被布置在所述竖直熔炉下方并且被配置成竖直平移所述工件船并将所述工件定位在所述处理空间内;以及
磁体,其被定位在所述竖直熔炉外部并且被配置成在所述处理空间内产生磁场;
其中,所述第一退火系统和所述第二退火系统被定位在所述制造底板上,以具有小于9.5m2(平方米)的组合占用空间。
2.根据权利要求1所述的制造系统,其中,用于所述第一退火系统的磁体和用于所述第二退火系统的磁体各自包括竖直无源磁体。
3.根据权利要求1所述的制造系统,其中,所述第一退火系统和所述第二退火系统还被配置成:具有小于3.5米至4.2米之间的高度限制的组合竖直占用空间。
4.根据权利要求1所述的制造系统,其中,用于所述第一退火系统的磁体和用于所述第二退火系统的磁体各自具有在距所述磁体的中间竖直轴的距离X内减小到5高斯的磁场,其中,0.4米≤X≤1.1米。
5.根据权利要求4所述的制造系统,其中,用于所述第一退火系统的磁体和用于所述第二退火系统的磁体各自在用于每个退火系统的处理空间内提供高达水平M的磁场,其中,M≥1特斯拉。
6.根据权利要求5所述的制造系统,其中,与所述第二退火系统相关联的5高斯场线与和所述第一退火系统相关联的5高斯场线不交叠,或者与所述第二退火系统相关联的5高斯场线与和所述第一退火系统相关联的5高斯场线交叠小于或等于所述距离X的10%。
7.根据权利要求5所述的制造系统,其中,与所述第二退火系统相关联的5高斯场线与和所述第一退火系统相关联的5高斯场线不交叠,或者与所述第二退火系统相关联的5高斯场线与和所述第一退火系统相关联的5高斯场线交叠小于或等于所述距离X的0.2%。
8.根据权利要求1所述的制造系统,其中,所述第一退火系统和所述第二退火系统以偏移、并排布置被定位。
9.根据权利要求8所述的制造系统,还包括:位于所述第一退火系统附近的第一组电气、气体和水系统;以及位于所述第二退火系统附近的第二组电气、气体和水系统。
10.根据权利要求8所述的制造系统,还包括:第一维护区域,其位于所述第一退火系统和所述第二退火系统的第一边缘附近以用于进入所述第一退火系统;以及第二维护区域,其位于所述第一退火系统和所述第二退火系统的第二边缘附近以用于进入所述第二退火系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造