[发明专利]低发射率玻璃在审
| 申请号： | 201880037343.1 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110719898A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 朴俊永;姜贤旻;金镇瑢;吴营勳;尹成君;柳宝娜;李炫周;李济香;金旻炷 | 申请（专利权）人： | KCC公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质层 玻璃 低发射率 金属层 吸收层 衬底 长期储存 | ||
1.低发射率玻璃，包括：
玻璃衬底；
形成在所述玻璃衬底上的第一电介质层；
形成在所述第一电介质层上的金属层；
形成在所述金属层上的吸收层；
形成在所述吸收层上的第二电介质层；以及
形成在所述第二电介质层上的包含Zr的涂层。
2.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述涂层还包含Zr、或者Zr和选自Si、Ti、Al、Cu、Fe、Ni、Pb和Nb中的至少一种的复合金属。
3.如权利要求1或2所述的低发射率玻璃，其中所述涂层包含Zr或Zr复合金属的氮化物、氧化物和氮氧化物。
4.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述涂层是选自ZrNx(0.5≤x≤2)、SiZrNx(0.5≤x≤2)、SiZrTiOx(0.5≤x≤3)、SiZrAlNx(0.5≤x≤2)和ZrTiOxNy(0.5≤x≤3，0.5≤y≤2)中的至少一种。
5.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述涂层的厚度是1nm至20nm。
6.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层中的至少一个还包括主电介质层并且选择性地包括形成在所述主电介质层的上部或下部上的至少一个次电介质层。
7.如权利要求6所述的低发射率玻璃，还包括在所述第一电介质层与所述金属层之间的吸收层。
8.如权利要求1至6中任一项所述的低发射率玻璃，包括在所述吸收层与所述第二电介质层之间的至少一个多层结构，所述多层结构在其中依次包括电介质层、金属层和吸收层。
9.如权利要求8所述的低发射率玻璃，其中所述电介质层还包括主电介质层并且选择性地包括形成在所述主电介质层的上部或下部上的至少一个次电介质层。
10.如权利要求9所述的低发射率玻璃，其中所述至少一个多层结构还包括在所述电介质层与所述金属层之间的至少一个吸收层。
11.如权利要求6或9所述的低发射率玻璃，其中所述次电介质层由含有选自Sn、Nb、Al、Sb、Mo、Cr、Ti和Ni中的一种或多种元素的基于Zn的氧化物形成，并且所述主电介质层由含有选自Al、B、Ti、Nb、Sn和Mo中的一种或多种元素的基于Si的氮化物或氮氧化物形成。
12.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述金属层是选自Ag、Cu、Au、Al和Pt中的一种或多种。
13.如权利要求1所述的低发射率玻璃，其中所述吸收层是与所述金属层接触的层并且包含Ni、Cr或Ni-Cr合金。
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