[发明专利]缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法有效
申请号: | 201880037126.2 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN110741464B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 田井悠;永元信裕;下川义和;清水洋儿;上林笃正 | 申请(专利权)人: | 佳能机械株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;G01N21/956;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人: | 崔永华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检测 装置 方法 接合 半导体 制造 以及 | ||
1.一种缺陷检测装置,检测在作为半导体产品或者半导体产品的一部分的工件中至少具有倾斜面部的缺陷,
所述缺陷检测装置的特征在于,
具备检查机构,该检查机构具有:
对所述工件照射具有比观察光学系统的数值孔径小的数值孔径的明视野照明光的照明单元;和
构成所述观察光学系统并观察由所述照明单元照射的所述工件的观察部位的摄像装置,
通过所述照明单元,以比观察光学系统的数值孔径小的数值孔径照射明视野照明,使由从光轴方向上自合焦位置散焦的非合焦位置射出的来自所述工件的反射光而形成观察图像上的缺陷,与由来自合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷相比,更放大,
所述摄像装置观察从所述非合焦位置射出的来自所述工件的反射光,以检查被放大的缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述缺陷检测装置具备进行工件的位置检测的定位装置,
所述定位装置具备所述检查机构。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述缺陷检测装置具备能够进行被载置的工件的定位及检查缺陷的工件载置部。
4.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述缺陷检测装置具备能够改变所述照明单元的数值孔径的可变单元。
5.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述照明单元具备检查用光源与定位用光源,
所述缺陷检测装置切换这些光源,以切换照明侧的数值孔径。
6.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
从合焦位置和非合焦位置的至少包含非合焦位置的两个不同的位置射出反射光。
7.根据权利要求6所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述检查机构以所述合焦位置为边界,基于分别从接近于所述摄像装置的一侧的非合焦位置和与所述摄像装置分离的一侧的非合焦位置射出的反射光来进行检查。
8.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
通过将所述工件配置在非合焦位置,从而使来自工件的反射光从光轴方向上自合焦位置偏离的非合焦位置射出。
9.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述检查机构具备使来自工件的反射光从光轴方向上自合焦位置偏离的非合焦位置射出的散焦单元,所述散焦单元是以下的任一种单元:使工件和光学系统在光轴方向上相对移动的单元、变更光学系统的单元、使用合焦位置不同的多个光学系统以及受光元件的单元、变更照明或者观察波长的单元。
10.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,
在从观察光学系统中的合焦位置散焦100μm以上的位置进行检查。
11.一种缺陷检测装置,检测在作为半导体产品或者半导体产品的一部分的工件中至少具有倾斜面部的缺陷,
所述缺陷检测装置的特征在于,
具备:
检查机构,该检查机构具有对所述工件照射明视野照明光的照明单元、和构成观察光学系统且观察由所述照明单元照射的所述工件的观察部位的摄像装置;以及
检测部,根据散焦量和缺陷的一方的倾斜面部与另一方的倾斜面部的分离幅宽来检测面部的倾斜角度以及缺陷幅宽,
所述检查机构观察从光轴方向上自合焦位置散焦的非合焦位置射出的来自所述工件的反射光,与由来自合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷相比,更强调由来自所述非合焦位置的反射光形成的观察图像上的缺陷。
12.根据权利要求1、2、11中任一项所述的缺陷检测装置,其特征在于,
所述工件由多层构造构成,且是从检查对象的层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度比来自其他层的强度大的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造