[发明专利]具有光学阻尼构件的光电部件在审
| 申请号： | 201880037062.6 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110710138A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 乌尔里希·凯尔;斯特凡·梅斯特;马可·维塔利;阎磊;蒋辰晖;奥斯·阿尔-萨阿迪;汉乔·里 | 申请（专利权）人： | 斯科雅有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/67 | 分类号： | H04B10/67;G02B6/26;H04B10/69;H03F3/08 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电检测器 阻尼构件 放大器 可调节 衬底 半导体 光辐射 电放大器 控制信号 输出信号 电输出 | ||
1.一种部件(10)，包括光电检测器(PD)和连接到所述光电检测器(PD)的电放大器(TIA)，其中所述光电检测器(PD)和所述放大器(TIA)被集成在同一半导体衬底(11)中，其特征在于，
-至少一个可调节光学阻尼构件(30)被布置在所述光电检测器(PD)的上游，并且阻尼或能够至少阻尼传递到所述光电检测器(PD)的光辐射，
-所述放大器(TIA)的电输出(A)直接或间接地连接到所述可调节光学阻尼构件(30)，并且所述放大器(TIA)的输出信号(AS)或随其形成的控制信号(ST)驱动所述光学阻尼构件(30)，以及
-所述光电检测器(PD)、所述放大器(TIA)和所述阻尼构件(30)被集成在同一半导体衬底(11)中。
2.根据权利要求1所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的所述放大器输入(Ev)处的电输入信号(ES)具有预定义的特性和/或所述放大器(TIA)表现出预定义的行为。
3.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的所述放大器输入(Ev)处的所述电输入信号(ES)的平均信号强度被限于预定义的最大值。
4.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的所述放大器输入(Ev)处的所述电输入信号(ES)的信号峰被限于预定义的最大值。
5.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的所述放大器输入(Ev)处的所述电输入信号(ES)的信号强度下降为低于或至少不超过预定义的标称输入信号强度。
6.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)在线性放大器范围内操作或者至少不被过驱动。
7.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的输入电路，尤其是双极性输入晶体管以低于其击穿电压的输入电压操作。
8.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的输入电路，尤其是双极性输入晶体管以在其饱和范围之外的输入电压操作。
9.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的输出信号中的第三谐波下降为低于或至少不超过针对所述第三谐波的预定义的信号阈值。
10.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述控制装置(40)以下述方式驱动所述阻尼构件(30)：所述放大器(TIA)的所述输出(A)处没有达到1dB压缩点。
11.根据前述权利要求中任一项所述的部件(10)，其特征在于，
所述光电检测器(PD)、所述放大器(TIA)和所述阻尼构件(30)形成闭合控制回路。
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