[发明专利]多晶YAG烧结体及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm的光透过时的光损耗系数为0.002cm^-1以下，其中，波长300nm～1500nm的范围中不包括存在由添加元素引起的吸收的波长，

所述多晶YAG烧结体通过如下方法制造：将含有Y₂O₃粉末、Al₂O₃粉末和作为粘结剂的碱性氯化铝或乳酸铝的混合粉末成型而制作相对密度为60％以上的成型体，在100℃～300℃下将所述成型体加热4小时～6小时，在对该成型体进行烧结时，在升温工序和保持工序中将真空度保持在1×10^-2Pa以下的同时在1600℃～1900℃下进行烧结，在烧结后，将冷却速度设定为100℃/小时以下直至1100℃。

2.一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm的光透过时的光损耗系数为0.002cm^-1以下，其中，波长300nm～1500nm的范围中不包括存在由添加元素引起的吸收的波长，

所述多晶YAG烧结体通过如下方法制造：将含有Y₂O₃粉末、Al₂O₃粉末和作为粘结剂的碱性氯化铝或乳酸铝的混合粉末成型而制作相对密度为60％以上的成型体，在100℃～300℃下将所述成型体加热4小时～6小时，在对该成型体进行烧结时，在升温工序和保持工序中将真空度保持在1×10^-2Pa以下的同时在1600℃～1900℃下进行烧结，在烧结后，将冷却速度设定为100℃/小时以下直至1100℃。

3.一种权利要求1所述的多晶YAG烧结体的制造方法，其特征在于，将含有Y₂O₃粉末和Al₂O₃粉末的混合粉末成型而制作相对密度为60％以上的成型体，在对该成型体进行烧结时，在升温工序和保持工序中将真空度保持在1×10^-2Pa以下的同时在1600℃～1900℃下进行烧结，在烧结后，将冷却速度设定为100℃/小时以下直至1100℃。

4.一种权利要求2所述的多晶YAG烧结体的制造方法，其特征在于，将含有Y₂O₃粉末和Al₂O₃粉末的混合粉末成型而制作相对密度为60％以上的成型体，在对该成型体进行烧结时，在升温工序和保持工序中将真空度保持在1×10^-2Pa以下的同时在1600℃～1900℃下进行烧结，在烧结后，将冷却速度设定为100℃/小时以下直至1100℃。

5.如权利要求3或4所述的多晶YAG烧结体的制造方法，其特征在于，在1600℃～1800℃、100MPa～200MPa的条件下对冷却后的烧结体进行HIP处理。

6.如权利要求5所述的多晶YAG烧结体的制造方法，其特征在于，在HIP处理后，在大气中、1300℃～1500℃的条件下进行退火处理。