[发明专利]放大器装置和具有这种放大器装置的传感器装置有效
申请号: | 201880036149.1 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN110710105B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 茨里尼迪·库希克·卡纳盖尔拉梅什;温琴佐·莱昂纳多 | 申请(专利权)人: | AMS国际有限公司 |
主分类号: | H03F3/00 | 分类号: | H03F3/00;H03F3/08 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 瑞士拉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 装置 具有 这种 传感器 | ||
1.一种放大器装置,其包括:
-用于连接传感器的传感器输入(SI);
-第一放大器(OP1),其包括第一放大器输出以及第一输入和第二输入,所述第一输入和第二输入中的第一输入连接到第一参考电势端子(VCM1),并且所述第一输入和第二输入中的第二输入以直接方式连接到所述传感器输入(SI),并且经由具有开关积分电容器(CINT)的第一反馈路径连接到第一放大器输出,所述开关积分电容器在第一开关阶段期间由所述反馈路径充电并在第二开关阶段期间放电;
-第二放大器(OP2),其包括第二放大器输出以及第一输入和第二输入,所述第一输入和第二输入中的第一输入连接到第二参考电势端子(VCM2);
-具有第一反馈电容器和第二反馈电容器(CDC1、CDC2)的开关电容器反馈,其中,所述第一反馈电容器(CDC1)连接在所述第一放大器输出与所述第二参考电势端子(VCM2)之间的第一反馈开关对之间,并且连接在所述第二参考电势端子(VCM2)与所述第二放大器(OP2)的第二输入之间的第二反馈开关对之间,并且其中,所述第二反馈电容器(CDC2)连接在所述第二放大器输出与所述第二放大器(OP2)的第二输入之间;以及
-阻抗元件(RDC),其耦合在所述第二放大器输出与所述传感器输入(SI)之间;
其中,在所述第一开关阶段期间,所述积分电容器(CINT)通过所述第一放大器输出与所述第一放大器的第二输入之间的电流充电;
在所述第二开关阶段期间,通过将所述积分电容器(CINT)的端子连接在一起或连接到公共电势端子来使所述积分电容器放电;
-所述第一反馈开关对在第三开关阶段期间闭合并且至少在第四开关阶段期间断开;
-所述第二反馈开关对在所述第四开关阶段闭合,并且至少在所述第三开关阶段断开;
-所述第一开关阶段、第二开关阶段、第三开关阶段和第四开关阶段以公共时钟周期进行操作;并且
-所述第一开关阶段包括所述第三开关阶段和第四开关阶段,所述第三开关阶段在所述第四开关阶段之后。
2.根据权利要求1所述的放大器装置,其中,所述第一反馈电容器(CDC1)在所述第四开关阶段与所述第三开关阶段之间的时间段中浮置。
3.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其中,所述第一开关阶段和第二开关阶段不重叠。
4.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其中,所述阻抗元件(RDC)实现为电阻元件。
5.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其中,所述阻抗元件(RDC)实现为电阻器。
6.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其中,所述阻抗元件(RDC)的阻抗值和/或所述积分电容器(CINT)的电容值和/或所述第一反馈电容器和第二反馈电容器(CDC1、CDC2)能够被调节。
7.根据权利要求1或2所述的放大器装置,其中,所述第一放大器(OP1)包括CMOS输出级,所述CMOS输出级具有一对串联连接的p沟道场效应晶体管(MP1)和n沟道场效应晶体管(MN1),场效应晶体管(MP1、MN1)中的每个晶体管具有连接在栅极端子与漏极端子之间的米勒电容(ZM),并且其中,存储在所述米勒电容(ZM)上的电荷在第五开关阶段中至少部分地复位,所述第五开关阶段与第一开关阶段不重叠并且包含所述第二开关阶段。
8.根据权利要求7所述的放大器装置,其中,仅在所述第五开关阶段期间,所述p沟道场效应晶体管(MP1)的栅极端子经由第一二极管元件(MP2)连接到正电源端子,所述n沟道场效应晶体管(MN1)的栅极端子经由第二二极管元件(MN2)连接到负电源端子,并且所述漏极端子连接到所述第一参考电势端子(VCM1)。
9.根据权利要求7所述的放大器装置,其中,仅在所述第五开关阶段期间,所述p沟道场效应晶体管(MP1)的栅极端子直接连接到正电源端子,所述n沟道场效应晶体管(MN1)的栅极端子直接连接到负电源端子,并且所述漏极端子连接到所述第一参考电势端子(VCM1)。
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