[发明专利]半导体模块、显示装置及半导体模块的制造方法在审
申请号: | 201880036113.3 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN110741484A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 东坂浩由 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/52;H01L23/28;H01L25/075;F21S2/00;F21V19/00;F21Y115/10 |
代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝色LED 树脂 光出射面 配线基板 背面 电连接 电极 侧面 贯穿 覆盖 配置 | ||
1.一种半导体模块,其特征在于,具备:
基板;
发光芯片,其搭载于所述基板上;
树脂,其覆盖所述发光芯片的侧面及背面,且将所述发光芯片保持为水平;
电极材料,其设于所述基板的表面与所述发光芯片的所述背面之间,贯穿所述树脂,且将所述基板与所述发光芯片电连接;
所述发光芯片的光出射面(表面)自所述树脂露出,
将所述光出射面(表面)与所述树脂的表面配置于同一平面。
2.一种半导体模块,其特征在于,具备:
基板;
多个发光芯片,其并排设置搭载于所述基板上;
树脂,其覆盖所述多个发光芯片的侧面及背面,且将所述多个发光芯片保持为水平;
电极材料,其设于所述基板的表面与所述多个发光芯片的所述背面之间,贯穿所述树脂,且将所述基板与所述多个发光芯片电连接;
所述多个发光芯片的光出射面(表面)自所述树脂露出,
将所述光出射面(表面)与所述树脂的表面配置于同一平面。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,
俯视下的所述发光芯片的纵宽及横宽为20μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,
所述基板具有金属配线,
所述电极材料由
与所述金属配线连接的第一部分、及
与所述发光芯片连接的第二部分构成,
所述第一部分中的与光出射方向平行的截面的第一面积与所述第二部分中的与所述光出射方向平行的截面的第二面积不同。
5.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,
所述第一面积大于所述第二面积。
6.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,
所述树脂由包含第一层及第二层的至少两个层构成,
所述第一层是配置于所述基板侧的第一树脂,所述第二层是配置于所述第一树脂上的光反射率比所述第一树脂低的第二树脂。
7.一种显示装置,其特征在于具备根据权利要求1至6中任一项所述的半导体模块。
8.一种制造方法,其是制造根据权利要求1至6中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,
具有在硬化之前,将液状的树脂在包含于50℃~200℃的温度范围的温度下填充于基板间的工序。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,
所述温度范围为80℃~170℃。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,
所述温度范围为100℃~150℃。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造方法,其特征在于,
所述半导体模块具备:
基板,其具有金属配线;
电极,其配置于所述基板上,且与所述金属配线连接;
发光元件,其配置于所述电极上,具有与所述基板侧为相反侧的光出射面;
树脂,其至少覆盖所述基板上、所述发光元件的侧面的一部分、及所述电极的阶差部位;
邻接的所述发光元件的至少一部分在所述发光元件的光出射面侧相互连接。
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