[发明专利]陶瓷电路基板和使用其的模块在审
| 申请号： | 201880036002.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110709369A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 津川优太;西村浩二;原田祐作;青野良太;岩切翔二 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;B23K35/30;C22C5/06;H01L23/14;H05K1/03;H05K3/38 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷电路基板 接合 钎料层 钎料 耐热循环特性 活性金属 陶瓷基板 维氏硬度 接合性 铜板 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板为氮化铝基板或氮化硅基板。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板的厚度为0.2～2.0mm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电路基板的制造方法，其包含：使用含有Ag75～99质量份、Cu 1～25质量份、选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分0.5～6质量份、选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素0.4～5质量份的钎料，在真空度1.0×10-3Pa以下、接合温度700℃～820℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合；钎料中使用的Ag粉末粒子的振实密度为3g/cm3以上。
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