[发明专利]溅射靶材、溅射靶、溅射靶用铝板及其制造方法

说明书

溅射靶材(2)由纯度为99.999质量％以上的铝和不可避免的杂质构成。在将板表面(21)的平均晶粒直径设为D_s[μm]，将板厚的1/4的深度(22)处的平均晶粒直径设为D_q[μm]，并将板厚的1/2的深度(23)处的平均晶粒直径设为D_c[μm]时，满足下述式，并且平均晶粒直径在板厚方向上连续地变化，D_s≤230D_q≤280D_c≤3001.2≤D_q/D_s1.3≤D_c/D_s。

技术领域

本发明涉及在通过溅射法在基板上形成薄膜时所使用的溅射靶用高纯度铝板及其制造方法、以及使用了该溅射靶用高纯度铝板的溅射靶材及溅射靶。

背景技术

在玻璃基板上制作薄膜器件的液晶显示器或等离子体显示器、薄膜传感器等所使用的电布线膜、电极等一直以来主要使用作为高熔点金属的纯Cr膜、纯Ta膜、纯Ti膜等纯金属膜或它们的合金膜(例如，专利文献1)。

近年来，随着显示器的大型化、高精细化，对于电布线膜或电极膜，为了防止信号的延迟，要求低电阻化、低应力化和这些特性的稳定化。因此，使用与上述的金属膜相比电阻更低的高纯度铝膜。

形成于上述基板的金属的薄膜通过如下方法即所谓的溅射法来形成：在基板与成为形成薄膜时的原料的材料即靶材之间形成等离子体放电，以离子化的氩碰撞靶材的能量击出构成靶材的原子，使该原子沉积于基板而形成薄膜的方法。

在用于实现溅射法的溅射装置中，在形成等离子体放电空间的腔室内的给定位置，配置具有靶材的溅射靶。例如，在专利文献1～6中记载了现有的靶材的例子。

已知在溅射靶材的晶粒直径大的情况下，通过溅射形成的膜厚的偏差变大。另外，若晶粒直径大，则在溅射的阶段，在靶材的表面容易产生因晶面的不同引起的凹凸。并且，若在靶材的表面产生凹凸，则电荷会集中于该凹凸，因此容易发生由于异常放电引起的飞溅。

所谓飞溅，是指溅射靶的一部分分离而成为数μm～数百μm大小的粒子并附着在基板上的溅射不良。飞溅的发生会导致膜厚分布的劣化、生产率的降低，因此不优选。在靶组织中存在裂纹或空孔等缺陷即存在空间的情况下，也容易发生飞溅。

另外，从提高生产效率的观点出发，要求靶材的长寿命化，并且倾向于进行比以往更长时间的溅射。若溅射长时间化则容易产生上述的晶面的不同所引起的凹凸，靶材的局部消耗由于该凹凸更容易进展，因此需要抑制凹凸的效果比以往更高的靶材。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6－81141号公报

专利文献2：日本特开平6－299342号公报

专利文献3：日本特开2014－47383号公报

专利文献4：日本特许第5328017号公报

专利文献5：日本特开平3－2369号公报

专利文献6：日本特开2004－107758号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明鉴于上述的问题而作，其目的在于，提供一种溅射靶用铝板及其制造方法、以及使用了该溅射靶用高纯度铝板的溅射靶材及溅射靶，通过将晶粒直径及晶面形成为与以往不同的形态，从而能够抑制溅射时的局部消耗，并且通过还抑制飞溅，从而能够在抑制生产率的降低的同时，即使更长时间的溅射也能够使所形成的金属膜的厚度均匀且形成为低电阻。

用于解决问题的手段