[发明专利]用于在高性能集成电路封装中减少翘曲并增加表面贴装技术产率的设备和机构

权利要求书

1.一种用于减小在加热和冷却期间包括集成电路IC基板和IC晶片的IC封装的翘曲的加强设备，所述加强设备包括：

主加强环，所述主加强环被附着到所述IC基板的顶侧，并在所述IC基板的区域中限定开口，其中所述IC晶片位于所述区域中以使得所述主加强环包围所述区域，其中所述主加强环包括多个台阶，所述多个台阶由所述主加强环的周边处的较窄厚度的区域限定，每个台阶在所述主加强环和所述IC基板之间形成凹部；以及

副加强环，所述副加强环在所述主加强环的与所述IC基板相对的一侧上以可移除的方式附接到所述主加强环，其中所述副加强环包括多个卡子，每个卡子由从所述副加强环的周边附近向内指向的突起形成，其中所述卡子被配置成，当所述副加强环被放置到所述主加强环上并在平行于所述IC基板的顶侧的平面中相对于所述主加强环旋转使得所述卡子与所述凹部接合时，与所述凹部接合。

2.根据权利要求1所述的加强设备，其中，所述台阶被限定在所述主加强环的角部处，并且所述卡子被限定在所述副加强环的角部处。

3.根据权利要求1所述的加强设备，其中，所述副加强环沿其周边限定多个凹口，以接收用于旋转所述副加强环的工具。

4.根据权利要求1所述的加强设备，其中，所述主加强环相对于所述IC基板的所述顶侧的高度等于或小于IC晶片相对于所述IC基板的所述顶侧的高度。

5.根据权利要求1所述的加强设备，其中，所述副加强环在正交于所述IC基板的所述顶侧的方向上具有比所述主加强环的厚度更厚的厚度。

6.一种用于减小在加热和冷却期间集成电路IC封装的翘曲的加强设备，所述加强设备包括：

主加强环，所述主加强环被附着到IC基板的顶侧，并在所述IC基板的配置成接收IC晶片的区域中限定开口，使得所述主加强环包围所述区域；以及

副加强环，所述副加强环被配置成在所述主加强环的与所述IC基板相对的一侧上以可移除的方式附接到所述主加强环，

其中：

所述主加强环包括磁性金属或合金，并且

所述副加强环包括多个磁体，每个磁体被放置在所述副加强环的在卡子之间的区域中。

7.一种在制造操作的加热和冷却期间使用加强设备以供减小包括集成电路IC基板和IC晶片的IC封装的翘曲的方法，所述方法包括：

将主加强环附着到所述IC基板的顶表面，其中所述主加强环包括多个台阶，所述多个台阶由所述主加强环的周边处的较窄厚度的区域限定，每个台阶在所述主加强环和所述IC基板之间形成凹部；

将副加强环以可移除的方式附接到所述主加强环，其中所述副加强环包括多个卡子，每个卡子由从所述副加强环的周边附近向内指向的突起形成，并且其中将所述副加强环以可移除方式附接到所述主加强环包括：将所述副加强环放置到所述主加强环上，并且在平行于所述IC基板的所述顶表面的平面中相对于所述主加强环旋转所述副加强环，使得所述卡子与所述凹部接合；

将包括所述IC基板、所述主加强环和所述副加强环的组件安装到印刷电路板PCB；并且

从所述主加强环移除所述副加强环。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述组件安装到所述PCB包括回流焊接工艺。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

旋转所述副加强环包括：将工具接合到沿着所述副加强环的周边限定的多个凹口中，并使用所述工具旋转所述副加强环。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述主加强环相对于所述IC基板的所述顶表面的高度等于或小于IC晶片相对于所述IC基板的所述顶表面的高度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述副加强环在正交于所述IC基板的所述顶表面的方向上具有比所述主加强环的厚度更厚的厚度。

12.一种在制造操作的加热和冷却期间使用加强设备以供减小包括集成电路IC基板和IC晶片的IC封装的翘曲的方法，所述方法包括：

将主加强环附着到所述IC基板的顶表面；

将副加强环以可移除的方式附接到所述主加强环；

将包括所述IC基板、所述主加强环和所述副加强环的组件安装到印刷电路板PCB；并且

从所述主加强环移除所述副加强环，

其中：

所述主加强环包括磁性金属或合金；

所述副加强环包括多个磁体，每个磁体被放置在所述副加强环的在卡子之间的区域中；并且

将所述副加强环以可移除的方式附接到所述主加强环包括将所述副加强环的所述磁体接合到所述主加强环。