[发明专利]在羧酸盐存在下的三烷基铟化合物的生产有效
| 申请号： | 201880035625.8 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110691785B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | W·肖恩;R·卡驰;A·弗赖;A·杜匹;A·里瓦斯纳斯;E·沃尔奈尔 | 申请（专利权）人： | 优美科股份公司及两合公司 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘学媛 |
| 地址： | 德国哈瑙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 羧酸 在下 烷基 化合物 生产 | ||
1.一种用于生产三烷基铟的方法，其中所述生产在含有至少一种烷基铟卤化物、三烷基铝、羧酸盐、以及溶剂的反应混合物中进行，其中所述烷基彼此独立地选自C1-C4烷基。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述烷基铟卤化物具有式RaInbXc，其中R选自C1-C4烷基；X选自Cl、Br和I；并且其中a＝1至2，b＝1，并且c＝1至2。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述卤化物是氯化物。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述烷基是甲基或乙基。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述烷基铟卤化物是三氯化三烷基二铟(R3In2Cl3)。
6.根据权利要求1或2或5所述的方法，其中对应于所述羧酸盐的羧酸的式是R’COOH，其中R’是具有1至20个碳原子的烃基。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述羧酸盐具有式[R’COO]xM，其中M选自碱金属及碱土金属，并且x＝1或2。
8.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中对应于所述羧酸盐的羧酸具有高于200℃的沸点。
9.根据权利要求1或2或5或7的方法，其中所述溶剂由烃组成并且/或者具有高于400℃的沸点。
10.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中所述反应混合物中的In:Al的摩尔比介于3:2与2:3之间。
11.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中所述生产包括在低于100℃的温度下执行的反应。
12.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中所述三烷基铟经由升华自所述反应混合物中分离出来。
13.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中所述生产包括反应，该反应包括以下步骤：
(a)提供含有所述烷基铟卤化物、所述羧酸盐、以及所述溶剂的混合物；以及
(b)添加所述三烷基铝。
14.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中相对于所使用的铟的量，三烷基铟的产率大于80％，并且/或者其中所述三烷基铟具有小于2ppm的氧含量。
15.根据权利要求1或2或5或7所述的方法，其中所述羧酸盐选自由下列组成的组：2-乙基己酸盐、正辛酸盐、或其组合。
16.根据权利要求6所述的方法，其中R’是具有5至15个碳原子的烃基。
17.根据权利要求10所述的方法，其中所述反应混合物中的In:Al的摩尔比小于1。
18.根据权利要求11所述的方法，其中在小于80℃的温度下执行反应。
19.根据权利要求15所述的方法，其中2-乙基己酸盐是2-乙基己酸钠。
20.一种用于生产含有铟和/或含铟涂层的半导体的方法，其包括下列步骤：
(i)根据权利要求1-19中任一项所述的方法生产三烷基铟，以及
(ii)执行金属有机化学气相沉积(MOCVD)，其中所述三烷基铟是用作用于将含铟涂层沉积至基材上的前驱物化合物。
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