[发明专利]一种发光二极管元件在审

申请号：	201880035571.5	申请日：	2018-09-25
公开（公告）号：	CN110741482A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	王进;吴俊毅;钟秉宪;王笃祥	申请（专利权）人：	天津三安光电有限公司
主分类号：	H01L33/14	分类号：	H01L33/14;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/46
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	300384 天津***	国省代码：	天津;12
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摘要：
搜索关键词：	电流扩展层凹处透明绝缘层半导体导电性半导体层区域形成反射层发光二极管元件出光效率负面影响掺杂的出光面活性层填充掺杂辐射吸收
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管元件，其包括半导体序列，半导体序列一侧为出光面，另一侧包括半导体的电流扩展层，半导体序列包括第一导电性半导体层、活性层和第二导电性半导体层，其特征在于：电流扩展层为掺杂的导电性半导体层，电流扩展层远离出光面的一侧的部分区域形成凹处，凹处内设置有透明绝缘层，透明绝缘层的另一侧和电流扩展层非凹处设置有反射层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：非凹处形成为多个独立的结构，凹处为连续的结构，并且被非凹处包围形成为相对的多个凸起。

3.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的电流扩展层的凹处绝缘层与电流扩展层接触的界面面积与电流扩展层与第二导电性半导体层的接触面积之间比例为50-90%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的凹处为多个，并且被非凹处连续的形成包围多个凹处的结构。

5.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：电流扩展层非凹处设置有欧姆接触层，欧姆接触层为透明的导电层或金属层或合金层。

6.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的电流扩展层为P-GaP。

7.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的电流扩展层p-GaP的掺杂浓度≥5E+19cm-3。

8.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的凹处贯穿或非贯穿电流扩展层。

9.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的第二导电性半导体层材料为掺杂型的导电性半导体层，所述的凹处深入第二导电性半导体层的部分厚度方向。

10.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管，其特征在于：所述的凹处为贯穿电流扩展层，深入第二导电性半导体层的部分厚度50~200nm。

11.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的反射层为金属反射层。

12.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的绝缘层为氧化物或氮化物或氟化物。

13.根据前述任一项权利要求所述的发光二极管元件，其特征在于：所述的绝缘层为单层或多层。