[发明专利]相位差膜及其制造方法

权利要求书

1.一种相位差膜，其包含由具有负的固有双折射值的树脂C形成的取向层，

所述树脂C含有嵌段共聚物，该嵌段共聚物具有以聚合单元A为主成分的嵌段(A)和以聚合单元B为主成分的嵌段(B)，所述聚合单元A具有负的固有双折射值，所述嵌段(A)的重量分数为50重量％以上且90重量％以下，

所述聚合单元A为以通式(A)表示的单元，

式中，R^C为选自苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、并五苯基和三联苯基的基团，

R¹～R³彼此独立，为选自氢原子和碳原子数为1～12的烷基的基团，

所述相位差膜具有大于0且小于1的NZ系数。

2.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，所述聚合单元B具有正的固有双折射值。

3.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述树脂C包含(A)-(B)-(A)三嵌段共聚物P'作为所述嵌段共聚物。

4.根据权利要求3所述的相位差膜，其中，所述树脂C进一步包含(A)-(B)二嵌段共聚物P”作为所述嵌段共聚物，在所述树脂C中，所述二嵌段共聚物P”相对于所述三嵌段共聚物P'与所述二嵌段共聚物P”的合计的比例为5～40重量％。

5.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，在所述取向层中，所述树脂C呈现相分离结构，所述相分离结构中的相间距离为200nm以下。

6.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述聚合单元B为以通式(B-1)表示的单元、以通式(B-2)表示的单元、或它们的组合，

式中，R⁴～R⁹彼此独立，为选自氢原子和碳原子数为1～6的烷基的基团。

7.一种制造权利要求1～6中任1项所述的相位差膜的制造方法，包含：

形成所述树脂C的单层膜的工序；及

在所述膜中使所述树脂C相分离的工序。

8.根据权利要求7所述的相位差膜的制造方法，其中，使所述树脂C相分离的工序包含对所述膜施加沿其厚度方向的应力的工序。

9.根据权利要求7或8所述的相位差膜的制造方法，其中，形成所述膜的工序包含将所述树脂C以单层进行熔融挤出的工序。

10.根据权利要求7或8所述的相位差膜的制造方法，其进一步包含拉伸所述膜的工序。