[发明专利]金属硅化物的选择性沉积

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括以下步骤：

将具有含硅表面的基板加热至第一温度；

将所述基板暴露于含氢的等离子体；

将所述基板暴露于第一剂量的MoF₆前驱物；

将所述基板暴露于第二剂量的Si₂H₆前驱物；

依序循环将所述基板暴露于第一剂量的步骤及将所述基板暴露于第二剂量的步骤；及

在所述依序循环的步骤之后，将所述基板暴露于第三剂量的Si₂H₆前驱物。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将所述基板暴露于第三剂量之后，在500℃至550℃之间的第二温度下对所述基板退火。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一温度在100℃至150℃之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述依序循环的步骤施行少于10次。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述依序循环的步骤施行5次。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢的等离子体由选自以下项组成的群组中的前驱物形成：NF₃/H₂、和NF₃/NH₃。

7.如权利要求1所述的方法，其中在所述依序循环的步骤期间施行使用N₂的氮气净化工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一剂量施行10ms至100ms之间的持续时间，及所述第二剂量施行1ms至50ms之间的持续时间。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一剂量包括1MegaL至10MegaL之间的MoF₆流动速率，所述第二剂量包括1MegaL和10MegaL之间的Si₂H₆流动速率，及所述第三剂量包括20MegaL和50MegaL之间的Si₂H₆流动速率。

10.一种基板处理方法，包括以下步骤：

将所述基板定位在反应腔室中的加热器上，所述反应腔室具有腔室壁；

将所述加热器上的所述基板加热到第一温度；

将所述腔室壁保持在低于所述第一温度的第二温度；

将所述基板的含硅表面暴露于氢；

将所述基板暴露于第一剂量的MoF₆前驱物；

将所述基板暴露于第二剂量的Si₂H₆前驱物；

依序循环将所述基板暴露于第一剂量的步骤及将所述基板暴露于第二剂量的步骤；及

在所述依序循环的步骤之后，将所述基板暴露于第三剂量的Si₂H₆前驱物。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一温度在100℃和150℃之间，及所述第二温度在65℃和85℃之间。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一剂量包括1MegaL和10MegaL之间的MoF₆流动速率，所述第二剂量包括1MegaL和10MegaL之间的Si₂H₆流动速率，及所述第三剂量包括20MegaL和50MegaL之间的Si₂H₆流动速率。