[发明专利]氮化硅膜的高压处理

权利要求书

1.一种处理在工件上的包括硅氮键的电介质膜的方法，包含：

在腔室中支撑所述工件，所述工件具有包括硅氮键的所述电介质膜；

将所述电介质膜的温度升高至200℃至500℃之间；

将胺气引入所述腔室中；

在所述腔室中建立至少5个大气压的压力；和

当在所述腔室中的所述压力是至少5个大气压时，将所述工件上的所述电介质膜暴露于所述胺气。

2.如权利要求1所述的方法，所述电介质膜的所述温度可在所述腔室中建立至少5个大气压的压力之前升高。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述胺气包含氨气、甲胺气体和二甲胺气体中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质膜是制造中的鳍式场效晶体管的一部分。

5.如权利要求1所述的方法，包含将所述电介质膜暴露于所述胺气达至少5分钟。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质膜是氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅膜。

7.一种在工件上形成电介质膜的方法，包含：

通过可流动化学气相沉积在所述工件上沉积包括硅氮键的电介质膜；

将所述电介质膜的温度升高至200℃至500℃之间；和

当腔室中的压力是至少5个大气压时，将在所述工件上的包括硅氮键的所述电介质膜暴露于腔室中的胺气。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述电介质膜在所述工件上的沉积是在低于380℃的温度下。

9.如权利要求7所述的方法，包含通过在所述腔室中引入所述胺气来在所述腔室中建立压力。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述胺气是氨气。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述电介质膜是鳍式场效晶体管的一部分。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述电介质膜是氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅膜。

13.一种退火系统，包含：

腔室主体，界定腔室；

支撑件，用以利用暴露于所述腔室中的环境的工件的外表面保持工件；

机器人，用以将所述工件插入所述腔室中；

气源，用以提供胺气；

压力源，耦接至所述腔室以将所述腔室中的压力升高至至少5个大气压；

控制器，耦接至所述机器人、所述气源和所述压力源，所述控制器被配置以致使机器人将所述工件运输至所述腔室中，使得所述气源供应所述胺气至所述腔室，并且以致使当所述工件保持在所述腔室中的所述支撑件上时将所述腔室中的压力升高至至少5个大气压；和

加热器，用以将所述支撑件上的所述工件的温度升高至200℃至500℃之间。