[发明专利]半导体模块及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880034475.9 申请日: 2018-03-13
公开(公告)号: CN110678958A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 东坂浩由 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L33/48
代理公司: 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 代理人: 王娟
地址: 日本国大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体模块 对准标记 基材 半导体元件 并列设置 异物残留 剥离 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,具备:

基材;

对准标记,其设置在所述基材的表面;以及

多个半导体元件,其与所述对准标记并列设置,且分别设置在所述基材的表面,并且相互分离。

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述对准标记由第一对准标记片和第二对准标记片构成。

3.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述对准标记的表面和所述多个半导体元件的表面大致位于同一平面上。

4.一种半导体模块的制造方法,其使用第一基材和第二基材,

所述第一基材在表面上设有第一对准标记片,

所述第二基材在表面设置有第二对准标记片以及与该第二对准标记片并列设置并且相互分离的多个半导体元件,

所述制造方法的特征在于,具有下述工序:

对位工序,在该工序中,使用所述第一对准标记片和所述第二对准标记片的重合,进行所述第一基材和所述多个半导体元件的对位;以及

接合工序,其在所述对位工序之后,将所述第二基材的所述多个半导体元件和所述第一基材接合,并且将所述第一基材和所述第二对准标记片接合。

5.根据权利要求4所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,

在后续工序中使用将所述第一对准标记片和所述第二对准标记片组合后的图案。

6.根据权利要求5所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,

所述后续工序具有检查工序,所述检查工序使用将所述第一对准标记片和所述第二对准标记片组合后的图案作为检查用图案。

7.一种半导体模块,其由基材、配置在所述基材的表面的多个半导体元件以及对准标记构成,所述半导体模块的特征在于,

在所述基材的表面设置有第一连接图案,在所述多个半导体元件的所述基材侧设置有第二连接图案,

所述基材和所述多个半导体元件通过所述第一连接图案和所述第二连接图案连接,

在所述基材的表面,设置有由与所述第一连接图案相同的材料形成的第一对准标记片,在所述第一对准标记片上,形成有由与所述第二连接图案以及所述半导体元件相同的材料构成的第二对准标记片,

所述对准标记由所述第一对准标记片和所述第二对准标记片构成。

8.根据权利要求7的半导体模块,其特征在于,

所述基材和所述多个半导体元件通过所述第一连接图形和所述第二连接图形连接而形成电流路径,

所述第一对准标记片和所述第二对准标记片之间是非电流路径。

9.根据权利要求1至3、7、8中的任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述对准标记在所述多个半导体元件的外周部配置有多个。

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