[发明专利]复合烧结体、静电卡盘部件及静电卡盘装置

权利要求书

1.一种复合烧结体，其为含有作为主相的氧化铝和作为副相的碳化硅的陶瓷的复合烧结体，且

在所述氧化铝的晶粒内具有莫来石，

在所述氧化铝的晶界不存在莫来石，

所述主相是指具有大于整体的50％的面积比率或体积比率的区域，所述副相是指非所述主相的区域。

2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其中，

在以所述氧化铝的晶粒为第1晶粒、

以含有所述莫来石且分散于所述第1晶粒的晶粒内的晶粒为第2晶粒、

以存在于所述第1晶粒的晶界的所述碳化硅的晶粒为第3晶粒时，

所述第1晶粒的平均晶体粒径为0.5μm以上且10μm以下，

所述第2晶粒的平均晶体粒径小于第3晶粒的平均晶体粒径。

3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

在以所述氧化铝的晶粒为第1晶粒、

以含有所述莫来石且分散于所述第1晶粒的晶粒内的晶粒为第2晶粒、

以存在于所述第1晶粒的晶界的所述碳化硅的晶粒为第3晶粒时，

所述第2晶粒整体与所述第3晶粒整体的比例以任意的截面中的面积比计为20％以上且40％以下。

4.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述复合烧结体中的所述莫来石的含有率以任意的截面中的面积比计为1.2％以上且3.5％以下。

5.根据权利要求1所述的复合烧结体，其含有作为第1晶粒的所述氧化铝的晶粒和所述碳化硅的晶粒，

所述碳化硅为β-SiC，

所述碳化硅的晶粒不含莫来石，

所述碳化硅的晶粒的至少一部分作为第3晶粒存在于所述氧化铝的晶粒的晶界，剩余的碳化硅的晶粒作为第4晶粒存在于所述氧化铝的晶粒内，

所述氧化铝的晶粒在其内部分散有第2晶粒，第2晶粒含有仅由所述莫来石形成的晶粒及由所述莫来石和β-SiC形成的晶粒中的至少1个，

所述复合烧结体中的所述β-SiC的量为4体积％以上且15体积％以下，

所述复合烧结体中的所述莫来石的含有率以截面中的面积比计为1.2％以上且3.5％以下。

6.一种静电卡盘部件，其具有：

板状基体，以权利要求1至5中任一项所述的复合烧结体为形成材料，且一主面为载置板状试样的载置面；及

静电吸附用电极，设置于所述基体的与所述载置面相反的一侧或所述基体的内部。

7.一种静电卡盘装置，其具备权利要求6所述的静电卡盘部件。