[发明专利]相位差膜及制造方法

权利要求书

1.一种相位差膜，实质上仅由包含聚合单元A和聚合单元B的1种共聚物P形成，

具有显现结构性双折射的相分离结构，

具有大于0且小于1的NZ系数。

2.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，所述相分离结构包含将所述聚合单元A作为主成分的相和将所述聚合单元B作为主成分的相，

所述相分离结构具有片状、柱状、球状中的任一形态，

所述相分离结构中的相间距离为200nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述共聚物P为具有将所述聚合单元A作为主成分的嵌段A和将所述聚合单元B作为主成分的嵌段B的嵌段共聚物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的相位差膜，其中，所述聚合单元A为通式(A)表示的单元，

式中，R^c为选自苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、并五苯基和三联苯基中的基团，

R¹～R³各自独立地为选自氢原子和碳原子数为1～12的烷基中的基团。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的相位差膜，其中，所述聚合单元B为通式(B-1)表示的单元、通式(B-2)表示的单元或它们的组合，

式中，R⁴～R⁹各自独立地为选自氢原子和碳原子数为1～6的烷基中的基团。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的相位差膜，其中，所述共聚物P为具有将所述聚合单元A作为主成分的嵌段A和将所述聚合单元B作为主成分的嵌段B的A-B-A三嵌段共聚物P’。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的相位差膜，其中，所述共聚物P具有负的固有双折射值。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的相位差膜，其中，所述聚合单元A具有负的固有双折射值，所述聚合单元B具有正的固有双折射值。

9.一种权利要求1至8中任一项所述的相位差膜的制造方法，包含以下工序：

形成树脂C的单层的膜的工序，所述树脂C实质上仅由所述共聚物P形成，以及

在所述膜中，使所述树脂C相分离的工序。

10.根据权利要求9所述的相位差膜的制造方法，其中，使所述树脂C相分离的工序包含对所述膜施加沿其厚度方向的应力的工序。

11.根据权利要求9或10所述的相位差膜的制造方法，其中，形成所述膜的工序包含以单层将所述共聚物P熔融挤出的步骤。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的相位差膜的制造方法，其中，进一步包含对所述膜进行拉伸的工序。