[发明专利]包括有机半导体层的有机电子器件和装置有效

专利信息
申请号: 201880033940.7 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN110892545B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;本杰明·舒尔策 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王潜;郭国清
地址: 德国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 有机半导体 有机 电子器件 装置
【权利要求书】:

1.一种有机电子器件,所述有机电子器件包括有机半导体层,其中至少一个有机半导体层包含式1的化合物:

其中

X选自O、S或Se;

Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基,并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含一个至六个取代基,

其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基;

n为1或2;

L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基,

其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基;

L2选自单键或C1至C6烷基,

R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基,其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基,

其中所述式1的化合物:

-包含至少4个C6芳亚基环,

-分子质量为至少400g/mol至1800g/mol,

从所述式1的化合物中排除其中Ar1是吲哚并[3,2-a]咔唑的化合物。

2.根据权利要求1所述的有机电子器件,其中所述式1的化合物包含4至12个C6芳亚基环,或4至12个稠合C6芳亚基环。

3.根据权利要求1所述的有机电子器件,其中L1经由单键直接键合在Ar1的杂芳亚基基团上。

4.根据权利要求3所述的有机电子器件,其中L1经由单键直接键合在Ar1的杂芳亚基基团上,其中所述杂芳亚基基团包含1至3个N原子。

5.根据权利要求4所述的有机电子器件,其中所述杂芳亚基基团包含2至3个N原子。

6.根据权利要求4所述的有机电子器件,其中所述杂芳亚基基团包含3个N原子。

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