[发明专利]包括有机半导体层的有机电子器件和装置有效
| 申请号: | 201880033940.7 | 申请日: | 2018-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN110892545B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;本杰明·舒尔策 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
| 地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 有机半导体 有机 电子器件 装置 | ||
1.一种有机电子器件,所述有机电子器件包括有机半导体层,其中至少一个有机半导体层包含式1的化合物:
其中
X选自O、S或Se;
Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基,并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含一个至六个取代基,
其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基;
n为1或2;
L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基,
其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基;
L2选自单键或C1至C6烷基,
R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基,其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基,
其中所述式1的化合物:
-包含至少4个C6芳亚基环,
-分子质量为至少400g/mol至1800g/mol,
从所述式1的化合物中排除其中Ar1是吲哚并[3,2-a]咔唑的化合物。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件,其中所述式1的化合物包含4至12个C6芳亚基环,或4至12个稠合C6芳亚基环。
3.根据权利要求1所述的有机电子器件,其中L1经由单键直接键合在Ar1的杂芳亚基基团上。
4.根据权利要求3所述的有机电子器件,其中L1经由单键直接键合在Ar1的杂芳亚基基团上,其中所述杂芳亚基基团包含1至3个N原子。
5.根据权利要求4所述的有机电子器件,其中所述杂芳亚基基团包含2至3个N原子。
6.根据权利要求4所述的有机电子器件,其中所述杂芳亚基基团包含3个N原子。
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