[发明专利]基于反相器的差分放大器在审
| 申请号： | 201880032906.8 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110692196A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | G.N.林克;W.李 | 申请（专利权）人： | 爱浮诺亚股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F3/187 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流源 金属氧化物半导体 二极管连接 反相放大器 钳位器 多个负载 共模干扰 输出摆动 电阻器 电耦合 最小化 电路 配置 | ||
1.一种装置，包括：
第一电流源；
第二电流源；以及
差分反相放大器，电耦合在所述第一电流源和所述第二电流源之间，所述差分反相放大器包含：
多个负载电阻器；以及
多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器，被配置为限制输出摆动并使共模干扰最小化。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电流源是具有电压vdd的正沟道MOS(PMOS)电流源。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二电流源是具有电压vss的负沟道MOS(NMOS)电流源。
4.根据权利要求3所述的装置，还包括多个负载电阻器，所述多个负载电阻器被配置为提供等于vdd/2的共模电压vcm。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括差分电阻负载，以改善带宽并使共模反馈控制最小化。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个二极管连接的MOS钳位器和所述多个负载电阻器被配置为使得能够独立优化增益和带宽。
7.一种系统，包括：
输入，被配置为接收输入电压；
输出，被配置为提供输出电压；以及
电耦合在所述输入和所述输出之间的电路，所述电路包括：
第一电流源；
第二电流源；以及
差分反相放大器，电耦合在所述第一电流源和所述第二电流源之间，所述差分反相放大器包含：
多个负载电阻器；以及
多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器，被配置为限制输出摆动并使共模干扰最小化。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一电流源是具有电压vdd的正沟道MOS(PMOS)电流源。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述第二电流源是具有电压vss的负沟道MOS(NMOS)电流源。
10.根据权利要求9所述的系统，所述电路还包括多个负载电阻器，所述多个负载电阻器被配置为提供等于vdd/2的共模电压vcm。
11.根据权利要求10所述的系统，所述电路还包括差分电阻负载，以改善带宽并使共模反馈控制最小化。
12.根据权利要求10所述的系统，其中，所述多个二极管连接的MOS钳位器和所述多个负载电阻器被配置为使得能够独立优化增益和带宽。
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