[发明专利]光电转换元件及光学测定装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，其特征在于，将硅基板的形成有集成电路的面定义为X-Y平面，将与所述X-Y平面垂直的所述硅基板的厚度方向定义为Z轴时，具有以所述硅基板的侧端部为受光面的光电转换区域，所述光电转换区域中含锗的硅锗区域沿与所述X-Y平面平行的方向延伸，且所述Z轴方向上的锗的最大浓度峰值的位置位于所述Z轴方向上的所述硅基板的中心附近。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，形成所述光电转换区域的高浓度杂质区域中含有砷、锑、镓或铟中的任一者。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，包围所述光电转换区域的元件分离区域的下部延伸形成至所述硅基板的形成有所述集成电路的面相反侧的背面侧。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述硅基板在所述Z轴方向上的厚度为5微米～20微米。

5.根据权利要求3或4所述的光电转换元件，其特征在于，在包围所述光电转换部区域的元件分离区域的内部，沿所述Z轴方向从所述元件分离区域的上部朝向下部埋入有含原子序数为42以上的重金属的金属遮光膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，在所述受光面的上部层叠有准直仪部件。

7.一种光电转换元件，其特征在于，将硅基板的形成有集成电路的面定义为X-Y平面，将所述硅基板的厚度方向定义为Z轴时，具有以所述硅基板的侧端部为受光面的光电转换区域，包围所述光电转换区域的元件分离区域的下部延伸形成至所述硅基板的形成有所述集成电路的面相反侧的背面侧，且在包围所述光电转换区域的元件分离区域的内部，沿所述Z轴方向从所述元件分离区域的上部朝向下部埋入有金属反射膜。

8.根据权利要求8所述的光电转换元件，其特征在于，在所述硅基板的形成有所述集成电路的面的上侧，且至少所述光电转换区域和包围所述光电转换区域的元件分离区域的上部；以及形成有所述集成电路的面相反侧的背面上，且至少所述光电转换区域和包围所述光电转换区域的元件分离区域的上部层叠有金属反射膜。

9.根据权利要求8或9所述的光电转换元件，其特征在于，所述受光面上层叠有具有开口部的金属反射膜。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，位于像素部与像素信号读取扫描电路间的元件分离区域的形状以X-Y平面角度来看非平行于所述受光面。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，位于像素间的元件分离区域的形状以X-Y平面角度来看，从所述受光面朝向所述硅基板的内部方向为漏斗状。

12.根据权利要求1～4或7～11中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述受光面的上部层叠有微透镜或光波导、或者组合所述微透镜和所述光波导而成的光学部件。

13.根据权利要求12所述的光电转换元件，其特征在于，所述光学部件在所述Z轴方向上的尺寸大于所述光电转换元件在所述Z轴方向上的尺寸。

14.根据权利要求12或13所述的光电转换元件，其特征在于，以所述光学部件中的光学中心线在所述Z轴方向上的位置位于距所述硅基板的表面相当于所述硅基板厚度的1/2的距离之间的方式配置有所述光学部件。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，所述光学部件为沿着所述硅基板的侧端部的所述受光面层叠而成的柱状透镜。