[发明专利]包括呈面对面布置的半导体裸片的设备有效
| 申请号: | 201880029382.7 | 申请日: | 2018-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN110603636B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
| 发明(设计)人: | 佐佐木大;片桐光昭;伊佐聪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L25/065;H10B80/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 面对面 布置 半导体 设备 | ||
1.一种设备,其包括:
第一芯片及第二芯片;所述第一及第二芯片中的每一者包括:
多层级布线结构,其包含第一层级布线层、第二层级布线层及介于所述第一层级布线层与所述第二层级布线层之间的绝缘膜;及
再分布布线层,其位于所述多层级布线结构上方,所述再分布布线层包含再分布布线及电耦合到所述再分布布线的垫;
其中所述第一芯片安装于所述第二芯片上方,使得所述第一芯片的所述再分布布线层面对所述第二芯片的所述再分布布线层,且所述第一芯片的所述垫面对所述第二芯片的所述垫;所述第一芯片的所述垫通过中介绝缘区域与所述第二芯片的所述垫垂直间隔;所述第二芯片的所述再分布布线通过接合区域电耦合到所述第一芯片的所述再分布布线;所述第一芯片的所述垫通过所述第一芯片的所述再分布布线及所述第二芯片的所述再分布布线电耦合到所述第二芯片的所述垫;且
其中:
所述第一芯片的所述再分布布线层包含第一接合垫;
所述第二芯片的所述再分布布线层包含第二接合垫;
所述第一接合垫与所述第二芯片不重叠;
所述第二接合垫与所述第一芯片不重叠;且
所述第一芯片相对于所述第二芯片移位达一距离“a”,其中所述接合区域包含来自所述第一芯片的第一耦合区域及来自所述第二芯片的第二耦合区域;且
其中所述第一耦合区域从所述第一芯片的所述垫偏移达a/2的距离,且所述第二耦合区域从所述第二芯片的所述垫偏移达a/2的所述距离。
2.一种设备,其包括:
第一裸片,其接合到第二裸片;
所述第一裸片具有布置于沿着所述第一裸片的正表面延伸的第一线中的第一互连区域,且具有与所述第一互连区域电耦合的第一再分布布线;所述第一再分布布线是由第一再分布布线层所包括,所述第一再分布布线层具有沿着第一横向方向从所述第一互连区域向外延伸的主要部分且具有沿着与所述第一横向方向相反的第二横向方向从所述第一互连区域向外延伸的次要部分;
所述第二裸片具有布置于沿着所述第二裸片的正表面延伸的第二线中的第二互连区域,且具有与所述第二互连区域电耦合的第二再分布布线;所述第二再分布布线是由第二再分布布线层所包括,所述第二再分布布线层具有沿着所述第二横向方向从所述第二互连区域向外延伸的主要部分且具有沿着所述第一横向方向从所述第二互连区域向外延伸的次要部分;且
其中:
所述第一裸片与所述第二裸片呈正面对正面关系;
所述第一互连区域从所述第二互连区域垂直偏移;
所述第一再分布布线层的所述次要部分电耦合到所述第二再分布布线层的所述主要部分;
所述第一裸片的所述第一互连区域及相关联第一再分布布线层形成第一图案,所述第二裸片的所述第二互连区域及相关联第二再分布布线层形成第二图案,其中所述第二图案基本上与所述第一图案相同;
所述第二再分布布线层延伸到接合垫,其中所述接合垫沿着所述第二横向方向从所述第二互连区域横向偏移,且沿着所述第二裸片;
所述接合垫与所述第一裸片不重叠;且
所述第一裸片相对于所述第二裸片移位达一距离“a”,其中所述第一裸片通过包含来自所述第一裸片的第一耦合区域及来自所述第二裸片的第二耦合区域的接合区域耦合到所述第二裸片;且其中所述第一耦合区域从所述第一互连区域偏移达a/2的距离,且所述第二耦合区域从所述第二互连区域偏移达a/2的所述距离。
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