[发明专利]多晶硅破碎物的制造方法、以及管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法有效
| 申请号： | 201880027331.0 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110621619B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 西村茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;B02C1/02;B02C13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 制造 方法 以及 管理 表面 金属 浓度 | ||
1.一种多晶硅破碎物的制造方法，其包括：
通过西门子法来制造多晶硅棒的工序；
将多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及
将多晶硅破碎物在清洗槽内蚀刻来清洗的工序，
在该清洗工序中，将多晶硅小片组容纳于能够流通液体的容器并且以该多晶硅小片组相对于该能够流通液体的容器的填充率为50％以下的方式进行填充，并且使该多晶硅小片组存在于清洗槽内，测定蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化，管理清洗工序，所述多晶硅小片组由10～200个立方体的多晶硅小片构成，立方体的所述多晶硅小片的一边的长度为5～15mm、表面积为150～1350mm2。
2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
清洗工序的管理通过如下方式来进行：根据蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化来计算出蚀刻速度，接着通过调节蚀刻处理的处理时间，控制成目标蚀刻量。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
清洗工序前的该多晶硅小片组的总表面积[cm2]与测定多晶硅小片组的重量的秤的分辨率[g]之比即多晶硅小片组的总表面积[cm2]/秤的分辨率[g]为2.0×103～3.5×107[cm2/g]。
4.根据权利要求3所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
测定该多晶硅小片组的蚀刻处理前后的重量的秤的分辨率为0.1～0.0001g。
5.根据权利要求1或2所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
将多晶硅小片组分散配置于清洗槽内。
6.一种管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法，其是管理通过西门子法制造出的多晶硅棒的破碎物的表面金属浓度的方法，
将多晶硅破碎物在清洗槽内蚀刻来清洗时，将多晶硅小片组容纳于能够流通液体的容器并且以该多晶硅小片组相对于该能够流通液体的容器的填充率为50％以下的方式进行填充，并且使该多晶硅小片组存在于清洗槽内，测定蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化，所述多晶硅小片组由10～200个立方体的多晶硅小片构成，立方体的所述多晶硅小片的一边的长度为5～15mm、表面积为150～1350mm2。
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