[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；

晶体管部，其设置于所述半导体基板；以及

相邻元件部，其设置于所述半导体基板，并且沿预先设定的排列方向与所述晶体管部排列；

所述晶体管部和所述相邻元件部这两者都具有：

第二导电型的基区，其在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；

多个沟槽部，其从所述半导体基板的上表面贯穿所述基区，在所述半导体基板的上表面沿与所述排列方向垂直的延伸方向延伸，并且在内部设置有导电部；以及

包含寿命控制剂的第一下表面侧寿命控制区域，其在所述半导体基板的下表面侧，从所述晶体管部起连续地设置到所述相邻元件部，

在俯视所述半导体基板时，所述第一下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在整个所述晶体管部和所述相邻元件部的一部分，

所述晶体管部在所述半导体基板的上表面侧还具有包含寿命控制剂的上表面侧寿命控制区域，

在所述半导体基板的下表面侧还具有包含寿命控制剂的第二下表面侧寿命控制区域，所述第二下表面侧寿命控制区域以所述半导体基板的下表面为基准而设置在比所述第一下表面侧寿命控制区域更深的位置，并且在俯视所述半导体基板时与所述第一下表面侧寿命控制区域重叠地设置，

在所述晶体管部，所述第二下表面侧寿命控制区域的端部设置在比所述上表面侧寿命控制区域的端部更靠所述排列方向上的所述相邻元件部侧的位置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上从所述晶体管部连续地设置到所述相邻元件部，并且设置在所述晶体管部的一部分和所述相邻元件部的一部分。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述晶体管部的所述排列方向上的端部，所述第一下表面侧寿命控制区域和所述第二下表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的深度方向上重叠。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述晶体管部的所述排列方向上的端部，所述第一下表面侧寿命控制区域和所述第二下表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的深度方向上重叠。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述相邻元件部具有二极管部以及在所述排列方向上夹在所述二极管部与所述晶体管部之间的边界部，

所述第一下表面侧寿命控制区域和所述第二下表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的深度方向上在所述边界部重叠。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述二极管部的所述排列方向上的端部，所述第一下表面侧寿命控制区域和所述第二下表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的深度方向上不重叠。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述上表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的上表面侧从所述晶体管部起沿所述排列方向连续地设置到所述相邻元件部。

8.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述上表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在所述晶体管部的一部分和整个所述相邻元件部。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述上表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在所述晶体管部的一部分和整个所述相邻元件部。

10.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备第二导电型的阱区，在俯视所述半导体基板时，所述阱区与所述多个沟槽部重叠地设置，

所述上表面侧寿命控制区域的一部分从所述阱区的端部起沿所述延伸方向以预先设定的长度设置到所述阱区外，

所述预先设定的长度大于所述半导体基板的深度方向上的厚度。