[发明专利]发光装置以及投影仪

说明书

提供发光装置以及投影仪，其能够抑制漏电流。发光装置包含：基体；第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光；以及第3半导体层，其设置在所述基体与所述第1半导体层之间，具有所述第2导电型，所述第1半导体层设置在所述第3半导体层与所述发光层之间，所述第3半导体层具有凹凸构造。

技术领域

本发明涉及发光装置以及投影仪。

背景技术

半导体激光器被期待为高亮度的下一代光源，例如，作为投影仪的光源而被应用。

例如在专利文献1中记载了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包含形成光子晶体的n型柱、以及配置在n型柱上的平坦的n型区域(n型半导体层)、发光区域(发光层)及p型区域(p型半导体层)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-9002号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1记载的发光装置中，例如，当通过与n型半导体层电连接的第1电极和与p型半导体层电连接的第2电极向发光层注入电流时，由于n型柱与n型半导体层的导电型相同，所以有时在n型柱中流过漏电流。

本发明的几个方式的目的之一在于，提供能够抑制漏电流的发光装置。另外，本发明的几个方式的目的之一在于，提供包含上述发光装置的投影仪。

用于解决课题的手段

本发明的发光装置包含：

基体；

第1半导体层，其具有第1导电型；

第2半导体层，其具有与所述第1导电型不同的第2导电型；

发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光；以及

第3半导体层，其设置在所述基体与所述第1半导体层之间，具有所述第2导电型，

所述第1半导体层设置在所述第3半导体层与所述发光层之间，

所述第3半导体层具有凹凸构造。

对于这样的发光装置而言，能够在第1半导体层与第3半导体层之间形成PN结，能够抑制电流向第3半导体层泄漏。因此，在这样的发光装置中，能够抑制漏电流。

对于本发明的发光装置而言，也可以是，

该发光装置包含电位施加部，该电位施加部对所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层施加电位。

对于这样的发光装置而言，能够对第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层施加电位。

对于本发明的发光装置而言，也可以是，

所述第1导电型是p型，

所述第2导电型是n型，

所述电位施加部以使所述第1半导体层的电位比所述第3半导体层的电位低或者与所述第3半导体层的电位相等的方式施加电位。

在这样的发光装置中，电位施加部能够在第1半导体层与第3半导体层之间施加反向偏压，能够更可靠地抑制向第3半导体层泄漏的漏电流。

对于本发明的发光装置而言，也可以是，

所述第1导电型是n型，

所述第2导电型是p型，