[发明专利]固体摄像装置以及摄像装置有效
申请号: | 201880026518.9 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN110546765B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 清水祐介;小野泽和利 | 申请(专利权)人: | 新唐科技日本株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H01L21/3205;H04N25/76;H01L23/522;H04N25/772;H04N25/79 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 | ||
固体摄像装置(1)具备:第一半导体基板(10),具有多个像素呈矩阵状地配置的像素阵列部(12)、以及第一连接部(130);和第二半导体基板(20),具有由用于与外部电连接的多个焊盘电极(259)构成的焊盘部(250)、以及第二连接部(230),对上述像素阵列部(12)进行控制。上述第一半导体基板(10)与上述第二半导体基板(20)层叠并且接合,上述第一连接部(130)与上述第二连接部(230)电连接,上述第一半导体基板(10)是与上述第二半导体基板(20)实质上相同的尺寸,仅在上述第二半导体基板(20)具有上述焊盘电极(259)。
技术领域
本公开涉及固体摄像装置以及摄像装置。
背景技术
以下,使用图26,对专利文献1中公开的现有技术的固体摄像装置进行说明。根据图26,固体摄像装置1010A为所谓的层叠构造,即:具有作为半导体基板的第一芯片1020和第二芯片1030,第一芯片1020层叠于上侧,第二芯片层叠于下侧。
第一芯片1020具有由多个像素1040构成的像素阵列部1021,并在周缘部具有焊盘部1221及焊盘部1222、和通孔部1231及通孔部1232。第二芯片1030具有信号处理部1031、存储部1032、数据处理部1033及控制部1034。
配置于像素阵列部1021的各个像素1040向信号线输出模拟信号。
信号处理部1031将输出到信号线的模拟信号数字信号化(AD转换),并将数字信号化后的数据以比帧速率快的第一速度向存储部1032转送。
存储部1032保存由信号处理部1031生成的数据。
数据处理部1033以比第一速度慢的第二速度从存储部1032读出像素的数据。
控制部1034进行存储于存储部1032的数据的控制等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2014/007004号
但是,根据上述的现有技术,随着使芯片尺寸小型化,在第一芯片1020中会发生焊盘部1222所占的比例变大、摄像区域即像素阵列部1021的面积率变小的问题。换言之,高像素化和芯片的小型化的兼顾变得困难。这里的高像素化,是指使摄像区域在芯片面积中所占的比例增加。
在内窥镜相机、超小型监视相机、车载相机、移动产品的领域中,如专利文献1的构成那样将焊盘部1221及焊盘部1222配置于第一芯片1020时,相对于芯片尺寸而言,焊盘部1221及焊盘部1222所占的比例变大。
例如,芯片尺寸为约3mm见方、约2mm见方、约1mm见方的情况下,如果假设使焊盘的尺寸为0.15mm见方,则焊盘部所占的比例即使最低也为10%左右、15%左右、30%左右。结果,摄像区域的面积占芯片尺寸的比例随着芯片的小型化而逐渐变小。即,高像素化变得困难。
另外,近年来,包含封装在内的芯片的小型化的要求提高,例如有使用了TSV(Through Silicon Via)的CSP(Chip Size Package)的封装技术,但若采用专利文献1中所示的固体摄像装置的构成,则在将第一芯片1020与第二芯片1030重叠的层叠型传感器中,由于在焊盘(第一芯片)之下配置有电路(第二芯片),因此难以确保TSV区域。
即,无法连接用于安装第一芯片和第二芯片的层叠体的安装基板的背面的焊料球、与第一芯片上的焊盘。在上述的构成中无法使用CSP的封装技术。为了实现上述技术,需要确保TSV区域,芯片尺寸必然变大。
发明内容
鉴于上述课题,本公开的目的在于,提供能够兼顾使摄像区域的面积占芯片尺寸的比例增加的高像素化和芯片的小型化的固体摄像装置及摄像装置。
用于解决课题的手段
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的