[发明专利]包含反应性倍半硅氧烷化合物的光波导形成用组合物

说明书

本发明提供即使在长波长区域中也为低传播损耗，并且波长1,550nm下的折射率高的光波导形成材料。解决手段是下述光波导形成用组合物和使用该组合物制作的光波导，上述光波导形成用组合物包含：(a)反应性倍半硅氧烷化合物100质量份，上述反应性倍半硅氧烷化合物为式[1]所示的烷氧基硅烷化合物A、与式[2]所示的烷氧基硅烷化合物B的缩聚物；以及(b)芴化合物10～500质量份，上述芴化合物由式[3]表示。(在式[1]中，Ar¹表示具有至少1个具有聚合性双键的基团的苯基、萘基或联苯基，R¹表示甲基或乙基。)(在式[2]中，Ar²表示可以被碳原子数1～6的烷基取代的苯基、稠合多环芳香族烃基或烃环集合基，R²表示甲基或乙基。)(在式[3]中，R³和R⁴各自独立地表示氢原子或甲基，L¹和L²各自独立地表示可以具有取代基的亚苯基或亚萘基，L³和L⁴各自独立地表示碳原子数1～6的亚烷基，m和n分别表示0或正整数，并且m+n为0～40。)Ar¹‑Si(OR¹)₃ [1]Ar²‑Si(OR²)₃ [2]

技术领域

本发明涉及即使在长波长区域也为低传播损耗并且为高折射率的光波导形成用组合物。

背景技术

近年来，随着云计算的发展、智能手机使用者的增加，通信信息量有增加的趋势。因此，在发送的信息数据集中的数据服务器，显现出产生庞大的电力使用量，进一步接近处理量的极限这样的问题，用于改善这些问题的技术进展成为当务之急。其中，作为可以高密度并且高速地处理信息的技术，积极研究了将服务器主板内的一部分电配线变更为光配线的光电混载基板(也称为光电复合基板)这样的技术。

对于光电混载基板，在需要作为光传输线路的光波导的同时，还需要将电信号向光信号转换的光电转换元件。作为光电转换元件的光源，已知面发光激光器(VCSEL)、硅基光子(Silicon photonics)这样的技术。特别是，通过CMOS、MEMS这样的半导体工艺的应用而发展的硅基光子近年来成为主流。因此，传送的光的波长从VCSEL的波长850nm变化到硅基光子的波长1,310nm、波长1,550nm这样的长波长区域。

迄今为止，作为在波长1,310nm、波长1,550nm这样的长波长区域显示高透明性的光波导，已知由氟树脂形成的光波导(例如，专利文献1)。它们通过将在该长波长区域具有吸收的C-H键变更为C-F键而使吸收波长区域移动，由此实现低传播损耗。

此外，为了在基板内高密度地安装光波导，考察了弯曲半径小的曲线光波导、相对于与光电转换元件连接的基板面为垂直方向的光波导。它们需要提高芯-包层间的折射率差而提高进行波导的光的约束效果，要求高折射率的芯形成用材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-275356号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在长波长区域表现低传播损耗的氟树脂的折射率低至1.3～1.5，在向上述那样的高密度光波导应用时不具有充分的折射率。这样，还没有在长波长区域也为低传播损耗，并且波长1,550nm下的折射率高的(例如1.56以上)光波导形成材料，其开发受到期待。

用于解决课题的手段

本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，含有特定的反应性倍半硅氧烷化合物和特定的芴化合物的组合物为适合于形成即使在长波长区域也实现低传播损耗和高折射率的光波导的材料，从而完成了本发明。