[发明专利]光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法

说明书

本发明提供光烧结粒子制备方法。根据一实施例，可包括：准备纳米粒子的步骤；以及以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。

技术领域

本发明涉及光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法，更具体地，涉及通过控制纳米粒子的表面的氧化膜来提高光烧结有效性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

背景技术

最近，随着电子工程技术和信息技术的发展，便携式电子设备的利用逐渐增加。目前，大部分的电子产品通过光刻工序制造。但是，光刻工序包括十二个以上的步骤，非常复杂，工序成本高、制造时间长，并利用许多有毒性化学物质，因此，可引起环境污染。因此，为了代替这种光刻工序，正积极研究印刷电子。

印刷电子意味着通过丝网印刷、凹版印刷等的印刷工序形成图案的电子产品。这由印刷、干燥、烧结等共三个步骤的简单工序形成，相比于以往的光刻工序，具有价格低、环保、有柔韧性、大面积大量生产、低温/简单工序等的优点，因而备受关注。因此，印刷电子可适用于柔性电子产品、太阳能电池等各种电子产品。

在印刷的电子器件的核心技术中有烧结，根据烧结方法及条件，确定烧结后的图案的导电率及图案的质量。作为以往的导电性油墨的烧结方法，目前具有热烧结方法，但在300℃以上的高温条件下进行烧结，因此，无法适用于作为新一代基板的柔性基板，工序时间长且需要腔室，因而不适合大量生产。

因此，作为新的烧结方法，提出激光烧结法、等离子烧结法、微波烧结法等，但它们也不适合大量生产，因此，本发明人提出白色光极短波光烧结方法。

发明内容

技术问题

本发明所要实现的一技术目的在于，提供考虑基板的特性而具有高有效性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

本发明所要实现的再一技术目的在于，提供在硅基板中也以高质量进行光烧结的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

本发明所要实现的另一技术目的在于，提供具有优秀的工序便利性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

本发明所要实现的还有一技术目的在于，提供具有优秀的价格竞争力的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

本发明所要实现的又一技术目的在于，提供容易大量生产的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。

本发明所要实现的技术目的并不局限于如上所述的事项。

解决问题的方案

本发明一实施例的光烧结粒子制备方法可包括：准备纳米粒子的步骤；以及以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。

根据一实施例，在形成上述氧化膜的步骤中，在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度可小于上述第二厚度。

根据一实施例，上述预设基准值可为1W/mK。

根据一实施例，上述第一厚度可为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度可为上述纳米粒子直径的3～10％。

本发明一实施例的光烧结靶制备方法可包括：准备纳米粒子的步骤；以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；以及使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤。