[发明专利]固态摄像元件和电子装置在审

专利信息
申请号: 201880025934.7 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN110546764A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 中川遥之 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369
代理公司: 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈桂香;曹正建<国际申请>=PCT/JP
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电转换部 传输栅极 半导体基板 电荷累积部 垂直栅极 电荷 电极 电荷传输效率 固态摄像元件 接收光量 嵌入 传输
【权利要求书】:

1.一种固态摄像元件,其包括:

光电转换部,其形成在半导体基板的深度方向上,并产生对应于接收光量的电荷;

电荷累积部,其累积所述光电转换部产生的电荷;和

传输栅极,其将所述光电转换部产生的电荷传输到所述电荷累积部,

其中,所述传输栅极包括多个垂直栅极电极,所述多个垂直栅极电极从所述半导体基板的界面填充至预定深度,并且在所述半导体基板的深度方向上至少一部分直径是不同的。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有在所述半导体基板的深度方向上直径变细的形状。

3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有在所述半导体基板的深度方向上直径以0.02以上的锥度比变细的形状。

4.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有以下形状:直到所述半导体基板的给定深度直径不改变,并且直径从所述给定深度起在深度方向上变细。

5.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有以下形状:直径直到所述半导体基板的给定深度在深度方向上变细,并且直径从所述给定深度起不改变。

6.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有以下形状:在所述半导体基板的深度方向上的中心部膨胀,且浅部和深部细。

7.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有直径在所述半导体基板的深度方向上阶梯式变细的形状。

8.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极在所述半导体基板的深度方向上的长度彼此不同。

9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极的直径的截面具有多边形形状。

10.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述传输栅极的栅极电极针对所述多个垂直栅极电极的每个彼此电隔离。

11.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极具有这样的形状,所述多个垂直栅极电极的一部分彼此连接以使截面具有コ字形的形状,并且其中截面面积在所述半导体基板的深度方向上变小。

12.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述多个垂直栅极电极形成圆环柱形形状,并且具有在所述半导体基板的深度方向上截面面积变小的形状。

13.一种电子装置,其包括:

固态摄像元件,其包括:

光电转换部,其形成在半导体基板的深度方向上,并产生对应于接收光量的电荷,

电荷累积部,其累积所述光电转换部产生的电荷,和

传输栅极,其具有多个垂直栅极电极,所述多个垂直栅极电极从所述半导体基板的界面填充至给定深度,并且在所述半导体基板的深度方向上至少一部分直径是不同的,从而将所述光电转换部中的电荷传输到所述电荷累积部;以及

信号处理电路,其处理来自所述固态摄像元件的输出信号。

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