[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列；

所述的键合衬底的第一表面的边缘形成台阶结构，为使键合衬底的第一表面的边缘未被金属层覆盖的台阶结构；

所述键合衬底的第一表面的边缘的台阶结构宽度至少2微米；

所述的键合衬底为导电性衬底，所述的导电性衬底为吸收激光镭射的非金属衬底；键合衬底侧壁表面会形成具有相对平坦的第一部分和不平坦的第二部分，所述的键合衬底侧壁表面不平坦的第二部分为不平整的凸凹结构，所述的键合衬底侧壁表面不平整的凸凹结构是由激光隐切所产生的连续或不连续的节点导致的。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述键合衬底的第一表面的边缘的台阶结构宽度2-10微米。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述键合衬底的第一表面的边缘的台阶结构宽度为3-6微米。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的多层金属层的上表面边缘上的半导体发光序列被去除而形成第二台阶结构，所述的第二台阶结构宽度为1.5-10微米。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，其中所述键合衬底的侧壁表面具有相对平坦的第一部分和不平坦的第二部分。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底的侧壁表面不平坦的第二部分为不平整的凸凹结构。

7.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的侧壁表面不平坦的第二部分相对键合衬底的第二表面更靠近键合衬底的第一表面或所述的侧壁表面不平坦的第二部分延伸至衬底的第一表面。

8.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的侧壁表面不平坦的第二部分相对键合衬底的第一表面更靠近键合衬底的第二表面或延伸至键合衬底的第二表面。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的键合衬底为非金属衬底。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件的半导体发光序列与多层金属层之间至少部分界面存在透明绝缘层，所述的透明绝缘层为一层或多层。

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光元件为砷化镓基发光元件。

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的半导体发光序列与透明绝缘层之间存在电流扩展层。

13.根据权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于，第二台阶结构为形成在电流扩展层上表面的边缘上，电流扩展层上表面的边缘上的半导体发光序列被去除，所述的电流扩展层为磷化镓层。

14.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的多层金属层包括键合层、金属反射层、欧姆接触层至少一种。

15.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述键合衬底的第二表面侧有导电金属层。

16.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的导电性衬底为硅或碳化硅衬底。