[发明专利]光子晶体膜及其制造方法、包含该光子晶体膜的防伪产品

权利要求书

1.一种光子晶体膜，包括：聚氨酯类高分子基体；及分散在所述聚氨酯类高分子基体中且以晶格结构排列的胶体颗粒。

2.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述光子晶体膜的最大反射率为10％以上。

3.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述光子晶体膜的厚度为10～200μm。

4.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述聚氨酯类高分子基体由聚氨酯类预聚物制备。

5.根据权利要求4所述的光子晶体膜，其中，所述聚氨酯类预聚物在80℃下的黏度为100～1000cps。

6.根据权利要求4所述的光子晶体膜，其中，所述聚氨酯类预聚物的重均分子量为500～30000g/mol。

7.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述聚氨酯类高分子基体和胶体颗粒的折射率之差为0.02以上。

8.根据权利要求7所述的光子晶体膜，其中，所述聚氨酯类高分子基体的折射率为1.4～1.5，胶体颗粒的折射率为1.3～2.95。

9.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述胶体颗粒的平均粒径为10～315nm。

10.根据权利要求9所述的光子晶体膜，其中，所述胶体颗粒满足以下关系式1，

[关系式1]

Da×0.95≤Ds≤Da×1.05

在所述关系式1中，Ds为胶体颗粒的粒径，单位为nm，Da为胶体颗粒的平均粒径，单位为nm。

11.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述胶体颗粒为选自金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、有机纳米颗粒及碳结构纳米颗粒中的一种或两种以上颗粒。

12.根据权利要求1所述的光子晶体膜，其中，所述光子晶体膜用于安全元素。

13.一种光子晶体膜的制备方法，包括以下步骤：在基材上涂布或在两个平行的透明平板之间注入包含聚氨酯类预聚物、胶体颗粒及光引发剂的分散液，并进行光照射。

14.根据权利要求12所述的光子晶体膜的制备方法，其中，所述分散液在60～100℃的温度条件下被涂布于所述基材上或被注入于所述两个平行的透明平板之间。

15.一种光子晶体膜的制备方法，包括以下步骤：

a)在第一基材上涂布包括含有两个以上光聚合性官能基的多官能化合物、胶体颗粒及光引发剂的分散液，并用第二基材覆盖涂布有所述分散液的第一基材；

b)在30℃以上且低于200℃的温度下使涂布后的所述分散液老化；及

c)向老化的所述分散液照射光来进行聚合，

其中，从所述第一基材及所述第二基材中选择的一个以上基材为透明基材。

16.根据权利要求15所述的光子晶体膜的制备方法，其中，所述老化执行10分钟以上。

17.根据权利要求15所述的光子晶体膜的制备方法，其中，所述老化在30℃～150℃的温度下执行。

18.根据权利要求15所述的光子晶体膜的制备方法，其中，所述老化以每分钟1℃～10℃的温度升温至30℃以上且低于200℃的温度。

19.一种防伪产品，包含由权利要求1至12中的任一项所述的光子晶体膜或包含由权利要求13至18中的任一项所述的制备方法制备的光子晶体膜。