[发明专利]具有用于在启动时保护组件的辅助晶体管的转换器装置和方法

权利要求书

1.一种包括转换器电路的装置，其特征在于，所述转换器电路包括：

电感器，包括：用于耦合到电源的第一端子，以及第二端子；

耦合到所述电感器的所述第二端子的一对串联耦合的晶体管，其中这对串联耦合的晶体管之间有晶体管中间节点；

耦合到所述电感器的所述第二端子的一对串联耦合的二极管，其中这对串联耦合的二极管之间有二极管中间节点；

与所述串联耦合的晶体管和所述串联耦合的二极管并联耦合的第一电容器；以及

包括与辅助晶体管串联耦合的第二电容器的子电路，其中所述子电路耦合在所述晶体管中间节点与所述二极管中间节点之间；

所述转换器电路用于在启动时激活所述辅助晶体管，从而在所述电源耦合不当的情况下降低至少部分所述转换器电路的电压应力。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管降低了这对串联耦合的晶体管中的至少一个晶体管上的电压应力。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管降低了这对串联耦合的二极管中的至少一个二极管上的电压应力。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管与这对串联耦合的晶体管的类型相同。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管与这对串联耦合的晶体管的类型不同。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述子电路还包括与所述辅助晶体管并联耦合的第三电容器。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述子电路还包括与所述辅助晶体管并联耦合的电阻器。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管是绝缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，简称IGBT)。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辅助晶体管是金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field-effect transistor，简称MOSFET)。

10.一种操作转换器电路的方法，用于启动转换器电路，其特征在于，

所述转换器电路包括：

电感器，所述电感器包括用于耦合到电源的第一端子，以及第二端子；

耦合到所述电感器的所述第二端子的一对串联耦合的晶体管，其中这对串联耦合的晶体管之间有晶体管中间节点；

耦合到所述电感器的所述第二端子的一对串联耦合的二极管，其中这对串联耦合的二极管之间有二极管中间节点；与所述串联耦合的晶体管和所述串联耦合的二极管并联耦合的第一电容器；以及包括与辅助晶体管串联耦合的第二电容器的子电路，其中所述子电路耦合在所述晶体管中间节点与所述二极管中间节点之间；

所述方法包括：

在连接启动时，激活所述辅助晶体管以降低至少部分所述转换器电路的电压应力；其中，所述辅助晶体管在所述电源耦合不当的情况下降低至少部分所述转换器电路的所述电压应力。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述辅助晶体管降低了这对串联耦合的晶体管中的至少一个晶体管的电压应力。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述辅助晶体管降低了这对串联耦合的二极管中的至少一个二极管的电压应力。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述辅助晶体管与这对串联耦合的晶体管的类型相同。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述辅助晶体管与这对串联耦合的晶体管的类型不同。