[发明专利]半导体模块以及电力变换装置有效
| 申请号: | 201880024461.9 | 申请日: | 2018-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN110495087B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 森崎翔太;玉田美子;中岛纯一;大宅大介 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 肖靖 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 模块 以及 电力 变换 装置 | ||
1.一种半导体模块,具备:
绝缘板;
正极电极;
负极电极;
第1半导体开关元件以及第2半导体开关元件,设置于所述绝缘板上,该第1半导体开关元件以及第2半导体开关元件并联连接后连接于所述正极电极与所述负极电极之间;
栅极控制电极,控制所述第1半导体开关元件的栅极以及所述第2半导体开关元件的栅极;
栅极图案,与所述栅极控制电极连接;
第1栅极控制线,将所述第1半导体开关元件的栅极和所述栅极图案连接;
第2栅极控制线,将所述第2半导体开关元件的栅极和所述栅极图案连接;
发射极图案,与所述负极电极连接;
第1发射极线,将所述第1半导体开关元件的发射极和所述发射极图案连接;以及
第2发射极线,将所述第2半导体开关元件的发射极和所述发射极图案连接,
在将所述第1半导体开关元件的发射极和所述负极电极连接的第1发射极布线与将所述第2半导体开关元件的发射极和所述负极电极连接的第2发射极布线之间,长度和宽度的一方或者两方不同,
在开关时,以降低起因于所述不同而产生的所述第1半导体开关元件的发射极电位与所述第2半导体开关元件的发射极电位之差的方式,由流经所述正极电极的电流以及流经所述负极电极的电流中的至少一方在所述第1栅极控制线和所述第2栅极控制线这两者、或者在所述栅极图案、或者在所述第1发射极线和所述第2发射极线这两者产生感应电动势。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
所述正极电极以及所述负极电极中的至少一方具有与所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线不垂直的主电流的电流路径。
3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,
所述正极电极以及所述负极电极中的至少一方具有与所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线平行的主电流的电流路径。
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
在所述开关时,所述第1半导体开关元件的发射极电位比所述第2半导体开关元件的发射极电位大,
在将所述正极电极的构成部分之中的与所述绝缘板平行的部分以及所述负极电极的构成部分之中的与所述绝缘板平行的部分中的靠近所述绝缘板的一方作为接近电极部分时,
所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线与所述接近电极部分的主电流的电流路径平行,
所述接近电极部分的主电流的电流路径的电流的朝向与流经所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线的电流的朝向为相反方向,
所述第1栅极控制线配置于比所述第2栅极控制线靠近所述接近电极部分的主电流的电流路径的位置。
5.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
在所述开关时,所述第1半导体开关元件的发射极电位比所述第2半导体开关元件的发射极电位大,
在将所述正极电极的构成部分之中的与所述绝缘板平行的部分以及所述负极电极的构成部分之中的与所述绝缘板平行的部分中的靠近所述绝缘板的一方作为接近电极部分时,
所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线与所述接近电极部分的主电流的电流路径平行,
所述接近电极部分的主电流的电流路径的电流的朝向与流经所述第1栅极控制线以及所述第2栅极控制线的电流的朝向为相同方向,
所述第1栅极控制线配置于比所述第2栅极控制线远离所述接近电极部分的主电流的电流路径的位置。
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