[发明专利]相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物有效
| 申请号： | 201880024145.1 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110494961B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | S·M·比洛迪奥 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相对于 选择性 蚀刻 调配 | ||
1.一种从微电子装置的表面相对于含硅材料选择性移除硅-锗的方法，所述方法包含：
提供包括硅和硅-锗的微电子装置表面，
提供包含以下组分的水性蚀刻组合物：
氟化氢，
经溶解过氧化氢，
经溶解乙酸，
经溶解甲酸，和
经溶解硫酸，且
在有效地相对于所述硅选择性移除硅-锗的温度下使所述表面与所述硅-锗选择性蚀刻组合物接触一段时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗具有下式：Six:Gey，其中x在约0.70至0.90的范围内，并且y在约0.10至约0.30的范围内，其中x+y＝1.00。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻组合物含有小于10重量份氟化氢/100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻组合物含有5到50重量份经溶解乙酸/100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻组合物含有2到40重量份经溶解甲酸/100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻组合物含有0.1到10重量份经溶解硫酸/100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻组合物含有0.5到20重量份经溶解乳酸/100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中按100重量份所述蚀刻组合物中的总经溶解材料计，所述蚀刻组合物含有：
1到10重量份氟化氢，
5到50重量份经溶解乙酸，
2到40重量份经溶解甲酸，
0.1到10重量份经溶解硫酸，和
10到35重量份经溶解过氧化氢，
0.5到20重量份经溶解乳酸。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面包括氮化硅或氧化硅。
10.一种用于从微电子装置的表面相对于硅选择性移除硅-锗的蚀刻组合物，所述组合物包含存于水中的：
1到10重量份氟化氢，
5到50重量份经溶解乙酸，
2到40重量份经溶解甲酸，
0.1到10重量份经溶解硫酸，
10到35重量份经溶解过氧化氢，和
0.5到20重量份经溶解乳酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
