[发明专利]由远程氮自由基源实现的高沉积速率高质量氮化硅

权利要求书

1.一种基板处理系统，包括：

等离子体源单元，所述等离子体源单元包括：

盖；

气体分配板，所述气体分配板设置在所述盖下方，所述气体分配板具有多个通孔，所述多个通孔跨所述气体分配板的直径布置；以及

基座，所述基座设置在所述气体分配板下方，其中所述基座和所述气体分配板在所述基座与所述气体分配板之间限定了等离子体激发区域；

第一远程等离子体源(RPS)单元，所述第一远程等离子体(RPS)单元具有第一气体出口，所述第一气体出口耦接到设置在所述盖处的第一气体入口，其中所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通；以及

第二RPS单元，所述第二RPS单元具有第二气体出口，所述第二气体出口耦接到设置在所述盖处的第二气体入口，其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通，并且所述第二RPS单元具有设置在所述盖的所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述等离子体源单元是电容耦合等离子体(CCP)单元、电感耦合等离子体(ICP)源或使用低压或大气压放电的等离子体源。

3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述等离子体源单元是电容耦合等离子体(CCP)单元。

4.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一RPS连接到包括氟的第一气源，并且所述第二RPS连接到包括氮的第二气源。

5.如权利要求1所述的基板处理系统，还包括：

第三气体入口，所述第三气体入口设置在所述盖处，其中所述第三气体入口与第三气源流体连通，所述第三气源包括含硅前驱物和含氮前驱物。

6.如权利要求5所述的基板处理系统，其中所述含硅前驱物包括硅烷、卤代硅烷、有机硅烷或它们的组合，并且所述含氮前驱物包括氮(N₂)、一氧化二氮(N₂O)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO₂)、氨(NH₃)或它们的组合。

7.一种基板处理系统，包括：

等离子体源单元，所述等离子体源单位包括：

盖；以及

双通道气体分配板，所述双通道气体分配板设置在所述盖下方，所述双通道气体分配板具有：

第一组通道，所述第一组通道横穿所述双通道气体分配板的厚度，其中所述第一组通道跨所述双通道气体分配板的直径布置；以及

第二组通道，所述第二组通道设置在所述双通道气体分配板内，其中所述第二组通道横穿所述双通道气体分配板的所述厚度的一部分；

基座，所述基座设置在所述双通道气体分配板下方，其中所述基座和所述双通道气体分配板在所述基座与所述双通道气体分配板之间限定了第二等离子体激发区域；

第一远程等离子体源(RPS)单元，所述第一远程等离子体源(RPS)单元具有第一气体出口，所述第一气体出口耦接到设置在所述盖处的第一气体入口，其中所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通；以及

第二RPS单元，所述第二RPS单元具有第二气体出口，所述第二气体出口耦接到设置在所述盖处的第二气体入口，其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通，并且所述第二RPS单元具有设置在所述盖的所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。

8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述等离子体源单元是电容耦合等离子体(CCP)单元、电感耦合等离子体(ICP)源或使用低压或大气压放电的等离子体源。

9.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述第一RPS连接到包括氟的第一气源，并且所述第二RPS连接到包括氮的第二气源。

10.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述第二组通道通过布置在所述等离子体源单元的侧壁处的侧壁气体入口流体地耦接到第三气源。