[发明专利]利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法及蚀刻液组合物

说明书

本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的电路形成方法。本发明的电路形成方法的特征在于在导电性种子层(Seed layer)和电路层由异种金属形成的基板材料上，选择性地仅蚀刻种子层以实现微细间距。而且，涉及一种不蚀刻镀铜(Cu)电路，选择性地仅蚀刻银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silver compound)种子层的电路形成方法和蚀刻液组合物。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液组合物，其用于在层压有铜(Cu)和通过溅射(Sputtering)、化学气相沉积(CVD)、无电解镀(Electroless plating)、涂布(Coating)、浸渍(Dipping)等工序沉积的银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silvercompound)的基板材料中，选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物。而且，本发明还涉及一种电路形成方法，其利用该蚀刻液组合物实现微细图案以形成电路。

背景技术

随着信息化时代的到来，电子产品市场得到了很大的成长，随之电子电路市场也正急剧成长。随着技术的发展，市场中增加了高性能、高集成电路要求，智能手机改革以后智能设备普及到了全世界，因此产品的轻薄短小化是必然的。因此，为了回应这一市场需求制造产品，实现微间距是必不可少的。

作为实现现有电路的方法多使用着利用光固化树脂进行曝光、蚀刻而形成图案的平版印刷工序。平版印刷工序是在形成有镀铜层的基板材料上利用光固化树脂形成所要实现的图案，并进行曝光及蚀刻而制备铜电路板的方法。但是，这种平版印刷工序能实现的间距最小为35um，较难形成微图案。

由于这样的工序上的困难，作为用于实现微细间距的工法，最近主要利用半加成工艺(SAP，Semi Additive Process)方法。通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、挤压方法，在层压有薄的金属种子层的基板材料上利用光固化树脂形成图案，并在这样形成的图案槽上镀上铜等导电性物质之后去除光固化树脂。通过镀铜形成电路之后，利用蚀刻液去除已去除光固化树脂的金属种子层，以实现微细间距电路。

但是，可适用SAP方法的覆铜箔层压板能够实现微间距，不同于现有的二层、三层型覆铜箔层压板，由于薄层上形成有种子层而附着力不好，由于种子层由铜(Cu)或者铬(Cr)、镍(Ni)等与铜金属一起蚀刻的金属或金属合金或金属化合物形成，因此在去除光固化树脂后蚀刻种子层的工序中，由铜材质形成的电路形成部分也一起受到蚀刻，导致厚度和线宽不均匀(图3)。而且，如果不能完全去除种子层，则由于迁移产生不良产品。

而且，目前为止，作为蚀刻金属配线或薄膜方法，最普遍使用的方法分为利用等离子处理或利用蚀刻溶液的方法，而使用蚀刻溶液时，通常由磷酸、硝酸、醋酸、盐酸、硫酸、氨、磷酸铁、硝酸铁、硫酸铁、盐酸铁、氯酸钠及水构成，因此作为蚀刻溶液使用时，不仅是银还同时蚀刻其他金属或金属合金或金属化合物，导致金属电路受损。从而导致形成蚀刻因子(Etch factor)低的不良图案。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种电路形成方法，其利用代替铜使用导电性好的银或银合金或银化合物通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂布、浸渍等工序形成薄种子层的基板材料，通过SAP方法形成图案后选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物以实现电路。

而且，本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物，其将金属电路层的去除抑制到最小，选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物，使得金属电路层不受损并且蚀刻因子(Etchfactor)高。