[发明专利]植入式光学传感器

权利要求书

1.一种植入式光学传感器(1)，包括基板(2)以及与基板(2)集成的用于渐逝场感测的至少一个光学微结构(3)，

所述至少一个光学微结构(3)定位成在所述基板(2)的表面(5)的一部分上形成光学相互作用区域(4)，

所述光学组件(1)还包括至少覆盖所述光学相互作用区域(4)的薄保护层(6)，所述薄保护层(6)处于具有防腐蚀特性的预定材料中且具有预定厚度，以免影响渐逝场感应。

2.如权利要求1所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)与所述光学相互作用区域(4)相关联的外表面共形。

3.如权利要求1至2中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)包括选自以下群组中的一或多种材料：碳化硅(SiC)、类金刚石碳(DLC)、TiO₂、Al₂O₃。

4.如权利要求1至3中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述光学组件包括至少一个光子集成电路设备。

5.如权利要求1至4中任一项的植入式光学传感器，其中所述光学微结构(3)基于SiN、SOI、InP、GaAs、TiO₂、玻璃或二氧化硅。

6.如权利要求1至5中任一项的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)是无孔的。

7.如权利要求1至6中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)的厚度小于所述光学微结构(3)的厚度的50％。

8.如权利要求1至6中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)的厚度小于所述光学微结构(3)的厚度的30％。

9.如权利要求1至6中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)的厚度小于所述光学微结构(3)的厚度的10％。

10.如权利要求1至9中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述至少一个光学微结构(3)被配置用于利用预定波长范围内的光进行渐逝场感测。

11.如权利要求10所述的植入式光学传感器，其中所述基板(2)是低折射率包层，并且所述光学微结构(3)是包括沉积在所述低折射率包层上的高介电折射率芯的单模波导，所述高介电折射率芯的厚度小于光的波长。

12.如权利要求10至11中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述光的波长在介于700nm与2500nm之间的近红外波长范围内，或在介于2.5μm与8μm之间的中红外波长范围内。

13.如权利要求10至11中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述光的波长在1500nm至1850nm的波段中，或在2080nm至2325nm的波段中。

14.如权利要求1至13中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述保护层(6)是光学透明的。

15.如权利要求1至14中任一项所述的植入式光学传感器，其中所述传感器(1)包括集成在所述基板(2)中并连接到所述光学微结构(3)的处理电路(7)、连接到所述处理电路(7)及所述光学微结构(3)的辐射源(8)，以及连接到所述处理电路(7)的接口电路(9)；在操作中，所述处理电路(7)和辐射源(8)被设置用于光学感测与所述光学微结构(3)及所述光学相互作用区域(4)相关联的渐逝场相互作用的物质。