[发明专利]固态成像装置在审
申请号: | 201880022868.8 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN110546763A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 町田贵志;秋山健太郎;山崎知洋 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 乔焱;曹正建<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 有效区域 偏振层 光电转换区域 外围区域 配线层 偏振器 基板 成像器件 电荷 光偏振 焊盘部 入射光 焊盘 偏振 转换 外部 | ||
1.一种成像器件,其包括:
位于基板上的一个或多个绝缘层;
有效区域,所述有效区域包括:
偏振层,所述偏振层位于所述一个或多个绝缘层中且包括使光偏振的一个或多个偏振器;和
至少一个第一光电转换区域,所述至少一个第一光电转换区域位于所述基板中且将由所述一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷;和
外围区域,所述外围区域位于所述有效区域的外部且包括:
一个或多个配线层,所述一个或多个配线层包括焊盘部,所述焊盘部位于所述一个或多个绝缘层中的与所述偏振层相同的层中。
2.如权利要求1所述的成像器件,还包括:
光学黑体区域,所述光学黑体区域位于所述有效区域和所述外围区域之间且包括至少一个第二光电转换区域,所述至少一个第二光电转换区域将入射光转换成电荷,在所述光学黑体区域中,所述焊盘部电连接至所述偏振层。
3.如权利要求2所述的成像器件,其中,所述偏振层包括位于所述光学黑体区域中的阻光部,其中,所述阻光部位于光向所述至少一个第二光电转换区域行进的路径中。
4.如权利要求1所述的成像器件,还包括:
一个或多个透镜层,所述一个或多个透镜层具有与所述至少一个第一光电转换区域对应的透镜,其中,所述一个或多个透镜层包括位于所述外围区域中的使所述焊盘部露出的开口。
5.如权利要求4所述的成像器件,其中,所述焊盘部经由所述开口电连接至外部电路。
6.如权利要求5所述的成像器件,其中,所述外围区域包括位于所述开口中的引线接合,所述引线接合将所述焊盘部与所述外部电路电连接。
7.如权利要求6所述的成像器件,其中,所述外围区域包括导电层,所述导电层位于所述开口的底部并位于所述一个或多个透镜层的至少一个侧壁上,其中,所述导电层将所述焊盘部电连接至所述外部电路。
8.如权利要求1所述的成像器件,还包括:
至少一个波导,所述至少一个波导位于所述一个或多个绝缘层中以向所述至少一个第一光电转换区域引导光。
9.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述偏振层包括位于所述外围区域中的阻光部,其中,所述阻光部连接至所述基板中的接收地电压的配线。
10.如权利要求1所述的成像器件,还包括:
至少一个存储晶体管,所述至少一个存储晶体管包括:作为源极和漏极中的一者的所述至少一个第一光电转换区域、位于所述一个或多个绝缘层中的栅极和作为所述源极和所述漏极中的另一者的位于所述基板中的杂质区域;和
阻光部,所述阻光部位于所述一个或多个绝缘层中且覆盖所述栅极和所述杂质区域。
11.一种成像器件,其包括:
位于基板上的一个或多个绝缘层;
有效区域,所述有效区域包括:
偏振层,所述偏振层位于所述一个或多个绝缘层的第一表面上且包括使光偏振的一个或多个偏振器;和
至少一个第一光电转换区域,所述至少一个第一光电转换区域位于所述基板中且将由所述一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷;和
外围区域,所述外围区域位于所述有效区域的外部且包括:
配线层,所述配线层包括位于所述一个或多个绝缘层的第二表面上的焊盘部,其中,所述第二表面位于与所述第一表面不同的平面上。
12.如权利要求11所述的成像器件,还包括:
光学黑体区域,所述光学黑体区域位于所述有效区域和所述外围区域之间且包括至少一个第二光电转换区域,所述至少一个第二光电转换区域将入射光转换成电荷,在所述光学黑体区域中,所述焊盘部电连接至所述偏振层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880022868.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法
- 下一篇:固态摄像元件和电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的