[发明专利]固态成像装置在审

专利信息
申请号: 201880022868.8 申请日: 2018-03-09
公开(公告)号: CN110546763A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 町田贵志;秋山健太郎;山崎知洋 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 乔焱;曹正建<国际申请>=PCT/JP2
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 绝缘层 有效区域 偏振层 光电转换区域 外围区域 配线层 偏振器 基板 成像器件 电荷 光偏振 焊盘部 入射光 焊盘 偏振 转换 外部
【权利要求书】:

1.一种成像器件,其包括:

位于基板上的一个或多个绝缘层;

有效区域,所述有效区域包括:

偏振层,所述偏振层位于所述一个或多个绝缘层中且包括使光偏振的一个或多个偏振器;和

至少一个第一光电转换区域,所述至少一个第一光电转换区域位于所述基板中且将由所述一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷;和

外围区域,所述外围区域位于所述有效区域的外部且包括:

一个或多个配线层,所述一个或多个配线层包括焊盘部,所述焊盘部位于所述一个或多个绝缘层中的与所述偏振层相同的层中。

2.如权利要求1所述的成像器件,还包括:

光学黑体区域,所述光学黑体区域位于所述有效区域和所述外围区域之间且包括至少一个第二光电转换区域,所述至少一个第二光电转换区域将入射光转换成电荷,在所述光学黑体区域中,所述焊盘部电连接至所述偏振层。

3.如权利要求2所述的成像器件,其中,所述偏振层包括位于所述光学黑体区域中的阻光部,其中,所述阻光部位于光向所述至少一个第二光电转换区域行进的路径中。

4.如权利要求1所述的成像器件,还包括:

一个或多个透镜层,所述一个或多个透镜层具有与所述至少一个第一光电转换区域对应的透镜,其中,所述一个或多个透镜层包括位于所述外围区域中的使所述焊盘部露出的开口。

5.如权利要求4所述的成像器件,其中,所述焊盘部经由所述开口电连接至外部电路。

6.如权利要求5所述的成像器件,其中,所述外围区域包括位于所述开口中的引线接合,所述引线接合将所述焊盘部与所述外部电路电连接。

7.如权利要求6所述的成像器件,其中,所述外围区域包括导电层,所述导电层位于所述开口的底部并位于所述一个或多个透镜层的至少一个侧壁上,其中,所述导电层将所述焊盘部电连接至所述外部电路。

8.如权利要求1所述的成像器件,还包括:

至少一个波导,所述至少一个波导位于所述一个或多个绝缘层中以向所述至少一个第一光电转换区域引导光。

9.如权利要求1所述的成像器件,其中,所述偏振层包括位于所述外围区域中的阻光部,其中,所述阻光部连接至所述基板中的接收地电压的配线。

10.如权利要求1所述的成像器件,还包括:

至少一个存储晶体管,所述至少一个存储晶体管包括:作为源极和漏极中的一者的所述至少一个第一光电转换区域、位于所述一个或多个绝缘层中的栅极和作为所述源极和所述漏极中的另一者的位于所述基板中的杂质区域;和

阻光部,所述阻光部位于所述一个或多个绝缘层中且覆盖所述栅极和所述杂质区域。

11.一种成像器件,其包括:

位于基板上的一个或多个绝缘层;

有效区域,所述有效区域包括:

偏振层,所述偏振层位于所述一个或多个绝缘层的第一表面上且包括使光偏振的一个或多个偏振器;和

至少一个第一光电转换区域,所述至少一个第一光电转换区域位于所述基板中且将由所述一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷;和

外围区域,所述外围区域位于所述有效区域的外部且包括:

配线层,所述配线层包括位于所述一个或多个绝缘层的第二表面上的焊盘部,其中,所述第二表面位于与所述第一表面不同的平面上。

12.如权利要求11所述的成像器件,还包括:

光学黑体区域,所述光学黑体区域位于所述有效区域和所述外围区域之间且包括至少一个第二光电转换区域,所述至少一个第二光电转换区域将入射光转换成电荷,在所述光学黑体区域中,所述焊盘部电连接至所述偏振层。

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