[发明专利]具有灵活的晶片温度控制的静电卡盘

权利要求书

1.一种用于在等离子体处理室中处理衬底的装置，其包括：

第一冷却剂气体压强系统，其构造成提供在第一压强下的第一冷却剂气体；

第二冷却剂气体压强系统，其构造成以独立于所述第一冷却剂气体压强系统提供在第二压强下的第二冷却剂气体；

第三冷却剂气体压强系统，其构造成独立于所述第一冷却剂气体压强系统和所述第二冷却剂气体压强系统，提供在第三压强下的第三冷却剂气体；

第四冷却剂气体压强系统，其构造成独立于所述第一冷却剂气体压强系统、所述第二冷却剂气体压强系统和所述第三冷却剂气体压强系统提供在第四压强下的第四冷却剂气体；以及

具有卡盘表面的静电卡盘，所述静电卡盘具有中心点和周边，所述静电卡盘还包括：

第一多个冷却剂气体端口，其连接到所述第一冷却剂气体压强系统，其中所述第一多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距大于第一半径处；

第二多个冷却剂气体端口，其连接到所述第二冷却剂气体压强系统，其中所述第二多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距第一半径处和与所述中心点相距第二半径处之间间隔开，其中所述第二半径小于所述第一半径；

第三多个冷却剂气体端口，其连接到所述第三冷却剂气体压强系统，其中所述第三多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距第二半径处和与所述中心点相距第三半径处之间间隔开，其中，所述第三半径小于所述第二半径；

第四多个冷却剂气体端口，其连接到所述第四冷却剂气体压强系统，其中所述第四多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距所述第三半径内间隔开一定距离；以及

围绕所述卡盘表面的所述周边延伸的外密封带，其中所述第一多个冷却剂气体端口、所述第二多个冷却剂气体端口、所述第三多个冷却剂气体端口和所述第四多个冷却剂气体端口位于所述外密封带内。

2.根据权利要求1所述的装置，所述静电卡盘还包括第一内带，其中所述第一内带设置在所述第一多个冷却剂气体端口和所述第二多个冷却剂气体端口之间。

3.根据权利要求2所述的装置，所述静电卡盘还包括第二内带，其中所述第二内带设置在所述第二多个冷却剂气体端口和所述第三多个冷却剂气体端口之间。

4.根据权利要求3所述的装置，所述静电卡盘还包括第三内带，其中第三内带位于所述第三多个冷却剂气体端口和所述第四多个冷却剂气体端口之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述外密封带、所述第一内带、所述第二内带和所述第三内带的相应高度大致相等。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述静电卡盘还包括多个排放固定装置。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个排放固定装置中的每个固定装置包括：

至少一个排放孔；和

围绕所述至少一个排放孔的密封部分。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述至少一个排放孔连接到排放口。

9.根据权利要求4所述的装置，其中，所述外密封带的高度高于所述第一内带、所述第二内带和所述第三内带的相应高度。

10.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一内带、所述第二内带和所述第三内带的高度在所述外密封带高度的四分之一和四分之三之间。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，由所述第一冷却剂气体压强系统提供的所述第一压强大于由所述第二冷却剂气体压强系统提供的所述第二压强，并且所述第二压强小于由所述第三冷却剂气体压强系统提供的所述第三压强，并且所述第三压强大于由所述第四冷却剂气体压强系统提供的所述第四压强。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外密封带的高度介于5微米和30微米之间。